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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR130TR-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR130TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRLR130TR-VB MOSFET 产品简介

IRLR130TR-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装。它设计用于处理中等电压和电流的应用。该MOSFET 支持最高100V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),具有1.8V的栅阈值电压(Vth)。其导通电阻为114mΩ@VGS=10V,最大漏极电流为15A。IRLR130TR-VB 使用了先进的Trench(沟槽)技术,提供低导通损耗和优良的开关性能,适合用于各种需要中等电压和电流的应用场合。

### IRLR130TR-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **沟道配置**: 单N沟道  
- **漏源电压 (VDS)**: 100V  
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V  
- **栅阈值电压 (Vth)**: 1.8V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**: 15A  
- **技术类型**: Trench(沟槽)技术  
- **最大功率耗散 (PD)**: 1.6W  
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C  
- **封装引脚**: 三引脚(Drain, Gate, Source)

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理**
  - IRLR130TR-VB 在电源管理系统中可作为开关元件,控制电源路径和负载。它在电源适配器、开关电源和电池管理系统中表现优异,有助于提高系统效率和稳定性,确保电源的可靠运行。

2. **负载开关**
  - 在负载开关应用中,IRLR130TR-VB 可以用来控制负载的开关状态,如在家用电器、工业设备或汽车电子系统中。它的高电流承载能力和低导通电阻使其能够有效地管理负载,提升设备的整体可靠性。

3. **电机驱动**
  - IRLR130TR-VB 适合用于中功率电机驱动电路。它可以作为电机控制系统中的开关元件,帮助实现电机的启停和调速,在电动工具、电动汽车和家电中的电机控制中提供高效的开关操作。

4. **DC-DC转换器**
  - 在DC-DC转换器应用中,IRLR130TR-VB 作为开关元件,能够有效地完成电压转换任务。它的低导通电阻和较高电流处理能力使其非常适合用于电源管理模块和电压调节系统,保证稳定的电压输出和高效的功率转换。

IRLR130TR-VB 是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,适用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换器等多种应用场景。凭借其卓越的开关性能和高电流处理能力,它在各种电子设备中得到了广泛应用。

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