### IRLR130ATM-VB MOSFET 产品简介
IRLR130ATM-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 封装，适合于处理中到高电压的应用。其最大漏源电压 (VDS) 为 100V，支持的栅极驱动电压 (VGS) 为 ±20V。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 1.8V，确保在较低栅极电压下也能有效开启。IRLR130ATM-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 114mΩ，支持最大连续漏极电流 (ID) 达 15A。使用 Trench 技术的 IRLR130ATM-VB 提供了高效的开关性能和低功耗特性，适用于各种功率控制和开关应用。
### IRLR130ATM-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO-252
- **沟道配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 15A
- **功耗 (PD)**: 2W（估算，取决于散热条件）
- **技术类型**: Trench 技术
- **开关频率**: 适用于中高频开关应用
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C
### 应用领域与模块
1. **电源管理系统**
IRLR130ATM-VB 的高漏源电压和低导通电阻使其非常适合用于电源管理系统中，如电源开关和转换器。它能够有效地管理电源的开关，优化电源转换效率，并减少功耗，在计算机电源、工业电源和消费电子产品中有广泛应用。
2. **DC-DC 转换器**
在 DC-DC 转换器中，IRLR130ATM-VB 可以作为开关元件，提供高效的电压转换。其较低的导通电阻帮助减少转换器中的功耗，提高整体能效，适用于各种电子设备，包括电源适配器和通信设备。
3. **电机驱动电路**
由于其能够处理较高电压和电流，IRLR130ATM-VB 适合用于电机驱动电路。在电机启动、运行和停止过程中，该 MOSFET 提供稳定的开关性能和低功耗，适合用于汽车电机和工业电机控制系统。
4. **负载开关**
IRLR130ATM-VB 适用于各种负载开关应用，如电池开关、负载断开和连接控制。其高电流处理能力和低 RDS(ON) 确保负载开关的高效性能，适合用于LED照明、电池保护电路和其他负载控制应用。
5. **汽车电子**
在汽车电子系统中，IRLR130ATM-VB 可以用作车载负载开关和功率管理组件。其可靠的开关性能和高电流处理能力提高了汽车电子系统的稳定性和效率，适合用于车载电源、灯光控制和电动窗户等应用。
IRLR130ATM-VB 的高电压耐受性、低导通电阻和稳定性能使其在多种应用中表现出色，特别适合于需要高效功率控制和开关的场景。
