--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR110TRPBF-VB MOSFET 产品简介
IRLR110TRPBF-VB 是一款高效的单N沟道功率MOSFET,封装为TO252。此MOSFET 设计用于处理中等电压和电流应用,其漏源极电压(VDS)为100V,最大漏极电流为15A。栅源极电压(VGS)额定为±20V。IRLR110TRPBF-VB 使用Trench(沟槽)技术,提供了适中的导通电阻(RDS(ON)),在VGS为10V时为114mΩ。该MOSFET 是对电源开关和电流控制应用的理想选择,适合多种电子设备和电路设计。
### IRLR110TRPBF-VB MOSFET 详细参数说明
- **器件类型**:N沟道MOSFET
- **封装**:TO252
- **配置**:单通道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **开启电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:15A
- **技术**:Trench沟槽技术
- **功耗**:适中的功耗,适合多种应用
- **热阻**:优化的封装设计有助于热管理,提高设备的可靠性
### 应用领域和模块
1. **电源开关**:IRLR110TRPBF-VB 的高漏源极电压和适中的导通电阻使其适用于电源开关应用,如电源管理模块和开关电源。其良好的电流处理能力可以确保电源开关的高效和可靠性。
2. **DC-DC转换器**:在DC-DC转换器应用中,该MOSFET 能够有效地控制电流和减少功耗,其适中的导通电阻和高电流处理能力使其成为高效电源转换和调节的理想选择。
3. **小型电机驱动**:IRLR110TRPBF-VB 适用于驱动小型电机,如风扇、电动工具和其他家用电器中的电机。其较高的漏极电流能力能够支持电机的稳定运行。
4. **LED照明**:在LED驱动应用中,该MOSFET 提供了稳定的开关能力和较低的导通电阻,有助于提高LED的能效和亮度,适合用于各种LED照明系统。
5. **汽车电子**:IRLR110TRPBF-VB 也适用于汽车电子设备,如车载电源管理系统和照明控制。其高电压和电流处理能力确保了在汽车环境下的可靠性和稳定性。
IRLR110TRPBF-VB 的高性能和可靠性使其在这些应用领域中提供了有效的电流控制和开关功能,是处理中等电压和电流应用的理想选择。
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