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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR110ATRPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR110ATRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介
IRLR110ATRPBF-VB是一款单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET,封装为TO252。该MOSFET具有100V的漏源电压(VDS)和15A的漏极电流(ID),设计用于中等电压和电流的应用。其栅极阈值电压(Vth)为1.8V,导通电阻(RDS(ON))为114mΩ(@VGS=10V),采用Trench技术。IRLR110ATRPBF-VB的高电流处理能力和适中的导通电阻,使其在各种功率管理和开关控制应用中表现出色。

### 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**:100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:15A
- **技术**:Trench技术
- **功耗**:适合中等功率应用
- **开关速度**:适合中频开关应用
- **热管理**:TO252封装提供了良好的散热能力,适用于较高功率的应用

### 应用领域和模块举例
1. **电源管理系统**:IRLR110ATRPBF-VB在电源管理系统中非常合适,尤其是在需要处理较高电压和电流的电源转换模块中。它的100V漏源电压能力和15A的漏极电流使其能够稳定控制高功率电源,适合用于电池管理系统、DC-DC转换器和其他电源管理应用。

2. **电动汽车和混合动力车**:在电动汽车和混合动力车中,这款MOSFET可用于高电压电机驱动和功率转换模块。其高电流处理能力和中等导通电阻有助于实现高效的电力传输和电机控制,提升车辆的整体性能和能效。

3. **工业电机驱动**:在工业电机驱动系统中,IRLR110ATRPBF-VB的高电压耐受能力和较高的漏极电流允许它在控制大功率电机时表现出色。它适合用作电机驱动器中的开关元件,保证电机的稳定运行和高效控制。

4. **开关电源和功率转换器**:该MOSFET还适用于开关电源和功率转换器中的高电压开关功能。它的Trench技术确保了低功耗和高效率,适合用于需要高电压、高电流处理的功率转换和调节电路。

总结来说,IRLR110ATRPBF-VB以其高电压耐受能力、适中的导通电阻和良好的散热性能,广泛应用于电源管理、电动汽车、电机驱动和功率转换器等领域,满足了高电压和中等功率应用的需求。

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