--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRLR024ZTRPBF-VB 产品简介
IRLR024ZTRPBF-VB 是一款高效的 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于中高压开关和功率管理应用。该 MOSFET 采用 Trench 技术制造,具有较低的 RDS(ON) 和较高的电流处理能力,适用于需要高效开关和控制的电路。这使得 IRLR024ZTRPBF-VB 在多种电子设备和电源模块中表现出色。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 73mΩ @ VGS = 10V
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**: 18A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理和DC-DC转换器**:
IRLR024ZTRPBF-VB 非常适合用于电源管理应用,如 DC-DC 转换器和电源开关模块。其低 RDS(ON) 值和较高的电流处理能力使其能够高效地处理电源开关任务,减少功率损耗并提高系统效率。
2. **电机驱动和开关电路**:
在电机驱动电路中,IRLR024ZTRPBF-VB 可以用作高效开关元件,用于控制电机的启停和速度调整。由于其较高的电流处理能力和较低的导通电阻,该 MOSFET 能够提供稳定的电流和可靠的控制,适用于各种电机应用。
3. **负载开关**:
该 MOSFET 还适用于负载开关应用,例如在照明控制和加热元件控制中。其高额定电流和低导通电阻确保了负载的可靠开关,减少了能量损失,并保持了系统的高效运行。
4. **功率调节和保护电路**:
IRLR024ZTRPBF-VB 也可以用于功率调节和保护电路,例如在过流保护和电压调节模块中。其快速开关能力和低 RDS(ON) 能够有效地保护电路不受损坏,并确保系统的稳定性。
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