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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRLR024TRLPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRLR024TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRLR024TRLPBF-VB MOSFET 产品简介

IRLR024TRLPBF-VB 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET,采用耐用的 TO-252 封装,设计用于处理中等电压和电流应用。其最大漏源电压 (VDS) 为 60V,栅极驱动电压 (VGS) 为 ±20V。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保在较低的栅极电压下即可实现高效开关。IRLR024TRLPBF-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在 4.5V 栅极电压下为 85mΩ,在 10V 栅极电压下为 73mΩ,能够支持最大连续漏极电流 (ID) 达 18A。它使用 Trench 技术提供了卓越的开关性能和低功耗特性,使其成为多种功率控制和开关应用的理想选择。

### IRLR024TRLPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO-252
- **沟道配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V
 - 73mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 18A
- **功耗 (PD)**: 2W(估算,取决于散热条件)
- **技术类型**: Trench 技术
- **开关频率**: 适用于高频开关应用
- **结温范围**: -55°C 至 +150°C

### 应用领域与模块

1. **电源开关**  
  IRLR024TRLPBF-VB 的低导通电阻和较高的电流处理能力使其适合用于电源开关应用。它可以高效地控制电源的开启和关闭,优化电源管理并减少功率损耗,适用于各种电源转换器和稳压电路。

2. **电机驱动**  
  在电机驱动系统中,IRLR024TRLPBF-VB 能够稳定地控制电机的启动、停止和调速。其良好的开关性能和低 RDS(ON) 确保电机驱动电路的高效和稳定运行,适合于工业和汽车应用中的电机控制。

3. **DC-DC 转换器**  
  IRLR024TRLPBF-VB 适合用于 DC-DC 转换器中,作为开关元件提高转换效率。它的低导通电阻减少了转换损耗,提高了转换器的总体能效,适合于计算机电源、通信设备和消费电子产品中。

4. **负载开关**  
  在各种负载开关应用中,IRLR024TRLPBF-VB 可以用来控制负载的连接和断开。其高电流处理能力和低功耗特性使其适合用于开关电池、LED 照明和其他负载控制电路。

5. **汽车电子**  
  IRLR024TRLPBF-VB 可用于汽车电子系统中的功率管理应用,包括车载电源、灯光控制和电动窗户等。其可靠的开关性能和高效的电流处理能力提高了汽车电子系统的稳定性和性能。

IRLR024TRLPBF-VB 的高效性能、小巧封装和优异的导通特性使其在电源管理、电机驱动和负载开关等应用中表现突出,为各种功率控制需求提供了稳定和高效的解决方案。

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