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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR9N20DTR-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR9N20DTR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRFR9N20DTR-VB MOSFET 产品简介

IRFR9N20DTR-VB 是一款**N-Channel MOSFET**,设计用于高电压和中等电流的开关应用。它采用了**Trench 技术**,具备高效率和低导通电阻的优点。该器件封装为**TO252**,支持**200V**的**VDS(漏极-源极电压)**和**±20V**的**VGS(栅极-源极电压)**,**Vth(阈值电压)**为**3V**。在VGS=10V时,其**RDS(ON)**为**245mΩ**,漏极电流**ID**高达**10A**。这些特性使得 IRFR9N20DTR-VB 适用于需要高电压开关的场合。

### 详细参数说明

- **封装**: TO252
- **配置**: 单个 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 200V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Trench
- **功耗**: 由于中等 RDS(ON),适合处理较高电压下的功率
- **工作温度**: 通常范围为 -55°C 到 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**: 适中,支持快速开关操作

### IRFR9N20DTR-VB 的应用领域和模块

IRFR9N20DTR-VB MOSFET 适用于多种高电压和中电流的应用领域:

1. **电源开关**: 在高电压 DC-DC 转换器和开关电源(SMPS)中,这款 MOSFET 能处理高达 200V 的电压,适合需要高电压转换和稳定性的电源模块。

2. **电池管理系统**: 该 MOSFET 可用于电池保护电路,尤其是在高电压电池组的保护中,如电动汽车或大规模储能系统,确保电池在高电压下的安全和可靠性。

3. **工业控制系统**: 在工业自动化和控制系统中,IRFR9N20DTR-VB 适合用于高电压电机驱动和控制模块,其高耐压特性能有效控制大功率负载。

4. **汽车电子**: 在汽车电源管理系统中,例如电动座椅、灯光控制等应用,能够处理高电压负载,并保证稳定的开关性能和可靠性。

5. **通信设备**: 该 MOSFET 也可用于通信设备中的电源管理和保护电路,防止高电压对设备造成损害,确保设备的长期稳定运行。

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