--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -200V
- VGS 20(±V)
- Vth -2.5V
- RDS(ON) 1160mΩ@VGS=10V
- ID -3.6A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
IRFR9222TRPBF-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于高电压和中等功率的应用。其具有高达 -200V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS)额定值,适合在高压环境下使用。该 MOSFET 的开启电压(Vth)为 -2.5V,导通电阻 (RDS(ON)) 为 1392mΩ@VGS=4.5V 和 1160mΩ@VGS=10V,具备良好的开关性能。采用先进的沟槽(Trench)技术,这款 MOSFET 提供了稳定的性能和可靠的电流控制,适合在要求高电压和中等电流的应用场合中使用。
---
**详细参数说明:**
- **封装类型**: TO252
- **通道配置**: 单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1392mΩ @ VGS = 4.5V
- 1160mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -3.6A
- **技术类型**: 沟槽 (Trench)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C
- **功率耗散 (Ptot)**: 50W
- **热阻 (RθJC)**: 3.0°C/W
---
**应用领域与模块:**
1. **高压电源管理**:
IRFR9222TRPBF-VB 在高压电源管理系统中发挥重要作用,尤其是在需要处理高达 -200V 的电压应用中。其较高的漏源电压和稳定的导通电阻使其适合用于高压电源转换器和电压稳压器,确保电源系统的可靠性和稳定性。
2. **工业高压控制**:
在工业自动化和控制系统中,这款 MOSFET 可用于高压电机驱动和负载开关。其高电压承受能力和较高的功率处理能力使其能够在严苛环境下稳定运行,适用于需要高电压和中等电流控制的工业设备。
3. **电池保护电路**:
在需要高电压保护的电池管理系统中,IRFR9222TRPBF-VB 能够有效保护电池免受过电压和过流的影响。其高漏源电压和可靠的开关性能帮助提升电池系统的安全性和稳定性。
4. **高功率开关应用**:
该 MOSFET 还适用于高功率开关应用,如高功率逆变器和大功率负载开关。其高电压额定值和中等电流能力使其能够满足对功率和电压的高要求,确保设备的高效能和可靠性。
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