企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

IRFR9222TRPBF-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: IRFR9222TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2.5V
  • RDS(ON) 1160mΩ@VGS=10V
  • ID -3.6A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品简介:**

IRFR9222TRPBF-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于高电压和中等功率的应用。其具有高达 -200V 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS)额定值,适合在高压环境下使用。该 MOSFET 的开启电压(Vth)为 -2.5V,导通电阻 (RDS(ON)) 为 1392mΩ@VGS=4.5V 和 1160mΩ@VGS=10V,具备良好的开关性能。采用先进的沟槽(Trench)技术,这款 MOSFET 提供了稳定的性能和可靠的电流控制,适合在要求高电压和中等电流的应用场合中使用。

---

**详细参数说明:**

- **封装类型**: TO252  
- **通道配置**: 单 P 沟道  
- **漏源电压 (VDS)**: -200V  
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V  
- **开启电压 (Vth)**: -2.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 1392mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 1160mΩ @ VGS = 10V  
- **漏极电流 (ID)**: -3.6A  
- **技术类型**: 沟槽 (Trench)  
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C  
- **功率耗散 (Ptot)**: 50W  
- **热阻 (RθJC)**: 3.0°C/W

---

**应用领域与模块:**

1. **高压电源管理**:  
  IRFR9222TRPBF-VB 在高压电源管理系统中发挥重要作用,尤其是在需要处理高达 -200V 的电压应用中。其较高的漏源电压和稳定的导通电阻使其适合用于高压电源转换器和电压稳压器,确保电源系统的可靠性和稳定性。

2. **工业高压控制**:  
  在工业自动化和控制系统中,这款 MOSFET 可用于高压电机驱动和负载开关。其高电压承受能力和较高的功率处理能力使其能够在严苛环境下稳定运行,适用于需要高电压和中等电流控制的工业设备。

3. **电池保护电路**:  
  在需要高电压保护的电池管理系统中,IRFR9222TRPBF-VB 能够有效保护电池免受过电压和过流的影响。其高漏源电压和可靠的开关性能帮助提升电池系统的安全性和稳定性。

4. **高功率开关应用**:  
  该 MOSFET 还适用于高功率开关应用,如高功率逆变器和大功率负载开关。其高电压额定值和中等电流能力使其能够满足对功率和电压的高要求,确保设备的高效能和可靠性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    724浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    600浏览量