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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR9120TRPBF-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: IRFR9120TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 250mΩ@VGS=10V
  • ID -8.8A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRFR9120TRPBF-VB MOSFET 产品简介

IRFR9120TRPBF-VB 是一款**P-Channel MOSFET**,设计用于中高压的开关应用,采用了**Trench 技术**,提供优异的导通性能和高效的电流处理能力。它采用**TO252**封装,具备**-100V**的**VDS(漏极-源极电压)**,**±20V**的**VGS(栅极-源极电压)**,以及**-2V**的**Vth(阈值电压)**。该 MOSFET 的**RDS(ON)**在VGS=4.5V时为**280mΩ**,在VGS=10V时为**250mΩ**,最大漏极电流**ID**为**-8.8A**。这种特性使得 IRFR9120TRPBF-VB 非常适合中高压的负载开关和保护电路。

### 详细参数说明

- **封装**: TO252
- **配置**: 单个 P-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 280mΩ @ VGS=4.5V
 - 250mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -8.8A
- **技术**: Trench
- **功耗**: 由于 RDS(ON) 较低,具备中等的功率处理能力
- **工作温度**: -55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**: 低栅极电荷,适用于快速开关应用

### IRFR9120TRPBF-VB 的应用领域和模块

IRFR9120TRPBF-VB MOSFET 可广泛应用于多种需要中高电压开关的领域:

1. **电源管理系统**: 该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器和电源开关电路中,适用于需要中高电压处理的电路,例如工业电源或高压电源模块。其低导通电阻确保了电路的高效运行。

2. **电池保护电路**: 适合用于高压电池组的保护系统,尤其是在电动工具或混合动力车辆中,其高耐压特性能够有效保护电池免受反向电流或高压的损害。

3. **汽车电子应用**: IRFR9120TRPBF-VB 适合在汽车电子系统中担任高电压负载开关,如电动座椅、电动窗户等,它能提供可靠的高压切换能力,同时减少功耗和热量。

4. **工业控制**: 该 MOSFET 能用于工业控制中的电机驱动和自动化设备,适合处理中高电压的开关操作,确保设备在高电流环境下的稳定性。

5. **通信设备和保护电路**: 在需要中高压保护的通信设备中,该 MOSFET 可用于电源保护模块,防止设备受到过电压或电流的损害,确保通信系统的稳定运行。

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