--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
IRFR9024TM-VB是一款P沟道功率MOSFET,采用TO252封装,能够在-60V的电压下工作。凭借先进的Trench技术,该MOSFET具有较低的导通电阻和高达-30A的漏极电流能力,非常适用于高效电源管理和开关应用。其设计能够满足需要快速开关响应和高负载能力的电路需求,广泛应用于汽车电子、电源转换和工业控制等领域。
### 2. 详细参数说明:
- **封装类型**:TO252(DPAK)
- **配置**:单P沟道
- **击穿电压(VDS)**:-60V
- **栅极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 72mΩ@VGS=4.5V
- 61mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:-30A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
### 3. 适用领域和模块举例:
- **电源管理和开关电源**:IRFR9024TM-VB广泛应用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器和开关电源中。其低导通电阻确保了在高效率下进行功率转换,减少了功率损耗并提升系统的能效。
- **汽车电子系统**:在汽车电子领域,如电池管理系统和负载开关控制中,IRFR9024TM-VB凭借其高电流处理能力和稳定性,适合在汽车中高压低损耗的应用场景中工作,提供出色的反极性保护和功率控制。
- **工业自动化与控制**:该MOSFET在工业自动化中用于电机控制、工业电源管理和负载切换,其高电流容量和快速开关响应,使其能够在高负载下保持可靠运行。
- **可再生能源系统**:在太阳能电池板和风能系统等可再生能源应用中,IRFR9024TM-VB可以用于高压直流电源转换、反向电流保护等模块,确保高效能量传输和系统的稳定运行。
IRFR9024TM-VB凭借其强大的电流承载能力、低导通电阻以及高可靠性,广泛应用于电源管理、汽车电子和工业控制等领域中的高性能需求场景。
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