--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRFR9022PBF-VB 产品简介
IRFR9022PBF-VB 是一款高性能 P-Channel MOSFET,采用 TO252 封装,专为低压开关和电源管理应用设计。该器件使用 Trench(沟槽)技术,能够提供较低的导通电阻和出色的电流处理能力。其漏源电压(VDS)为 -60V,栅源电压(VGS)为 ±20V,具有 -1.7V 的阈值电压(Vth)。MOSFET 的导通电阻为 72mΩ(VGS=4.5V)和 61mΩ(VGS=10V),最大漏极电流(ID)为 -30A。这款器件适用于高效率的电源开关、负载开关和电源保护等应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:-60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:72mΩ @ VGS=-4.5V;61mΩ @ VGS=-10V
- **最大漏极电流 (ID)**:-30A
- **技术**:Trench(沟槽技术)
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **开关速度**:高速
### 应用领域及模块
1. **电源管理**:IRFR9022PBF-VB 适用于高效电源管理应用,尤其是电源开关和电源保护电路。其低导通电阻和高电流处理能力能够有效降低功耗,提升系统效率。
2. **电池管理**:该 MOSFET 在电池管理应用中尤为适合,如过充、过放保护电路,确保电池的安全使用,延长电池寿命,并在便携设备中起到至关重要的作用。
3. **电机驱动与控制**:由于其高电流处理能力和稳定的开关特性,IRFR9022PBF-VB 可以应用于电机驱动电路,提供稳定的负载控制并减少功耗。
4. **汽车电子**:这款 MOSFET 在汽车电子系统中也能发挥重要作用,特别是在电动窗、门锁控制等高电流应用场合,因其具备出色的温度稳定性和电流承载能力。
5. **负载开关应用**:在需要控制高功率负载的应用场合,例如 LED 照明、电源分配系统,IRFR9022PBF-VB 以其低 RDS(ON) 和高电流能力,可以提高系统效率,减少功率损耗。
通过其广泛的应用适应性,IRFR9022PBF-VB 是一个适合用于多种高性能开关和控制领域的理想选择。
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