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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR9015-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: IRFR9015-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRFR9015-VB MOSFET 产品简介

IRFR9015-VB 是一款单P沟道MOSFET,封装为TO252(DPAK)。该器件设计用于需要高电流处理能力和低导通电阻的负电压应用场合。其采用了先进的沟槽(Trench)技术,能够在较低的导通电阻下提供高效的开关性能,适用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等领域。该器件支持最大漏极-源极电压为-60V,能够承受较高的电压应力,并在各种低功耗高效应用中表现优异。

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### IRFR9015-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO252(DPAK)
- **配置**:单P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:-60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 72mΩ @ VGS = 4.5V
 - 61mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:-30A
- **技术类型**:Trench 沟槽技术

IRFR9015-VB 具有相对较低的导通电阻,尤其是在VGS为10V时,仅为61mΩ。这使其在高电流应用中能够有效降低功耗,提升系统的整体效率。该器件的栅极驱动电压范围宽,适用于多种控制电路设计。

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### 适用领域与模块举例

1. **电池管理系统**:IRFR9015-VB 适用于电池管理系统中的电源切换和负载控制应用。由于其较低的导通电阻和高电流处理能力,能够确保电池管理系统的稳定性和高效性能,特别是在电动工具、UPS(不间断电源)和电动汽车的电池管理中表现出色。

2. **DC-DC转换器**:在需要处理负电压的DC-DC转换器中,该MOSFET能够有效降低转换损耗,提升转换效率。其高电流承载能力使其适合在要求大功率输出的DC-DC转换器模块中应用,如工业控制系统和通信电源模块。

3. **负载开关**:IRFR9015-VB 可用于高负载电路中的开关控制,例如服务器电源管理和家电控制系统。其能够在高电流负载下提供快速、可靠的开关响应,同时保持较低的功率损耗,适合需要长时间高效运行的负载开关场景。

4. **电动汽车充电管理**:在电动汽车充电系统中,该MOSFET的高电流处理能力和低导通损耗能够确保充电管理系统的高效性能,减少系统发热,延长组件使用寿命。

IRFR9015-VB 在这些应用领域中提供了高效的电流管理、负载控制和电源管理能力,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域中的高效电源管理模块。

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