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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR9014TRR-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: IRFR9014TRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### IRFR9014TRR-VB MOSFET 产品简介

IRFR9014TRR-VB 是一款**P-Channel MOSFET**,设计用于高功率开关应用。它采用了**Trench 技术**,旨在提供低导通电阻和高效能。该器件采用**TO252**封装,支持**-60V**的**VDS(漏极-源极电压)**和**±20V**的**VGS(栅极-源极电压)**。其**Vth(阈值电压)**为**-1.7V**,在VGS=4.5V时**RDS(ON)**为**72mΩ**,在VGS=10V时为**61mΩ**,漏极电流**ID**高达**-30A**。这些特性使得 IRFR9014TRR-VB 在需要高电流和低电阻的开关应用中表现出色。

### 详细参数说明

- **封装**: TO252
- **配置**: 单个 P-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 72mΩ @ VGS=4.5V
 - 61mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -30A
- **技术**: Trench
- **功耗**: 由于低 RDS(ON),能够有效地处理功率
- **工作温度**: 通常范围为 -55°C 到 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**: 较低,确保快速开关能力

### IRFR9014TRR-VB 的应用领域和模块

IRFR9014TRR-VB MOSFET 适用于多种高功率和低阻抗的应用领域:

1. **电源开关**: 在 DC-DC 转换器或开关电源(SMPS)中,这款 MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其能够高效地进行开关操作,提高系统的整体效率和可靠性。

2. **电池保护电路**: 由于其高漏极电流能力和低 RDS(ON),该 MOSFET 非常适合用于电池保护系统,特别是在电动车辆或大型能源存储系统中,保障电池组的安全和性能。

3. **电机驱动**: 其优秀的开关性能和高电流处理能力使其适合用于电机驱动模块,如工业电机控制、家用电器等,提供可靠的电机控制和高效能量利用。

4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,这款 MOSFET 可用于高功率开关,如电动窗、电动座椅或其他电动负载,提供稳定的性能和保护。

5. **通信设备**: 由于其低导通电阻和高效的开关特性,适合用于通信设备中的电源管理和保护电路,确保设备在高负载情况下的稳定性和可靠性。

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