--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
IRFR9014NTRPBF-VB是一款P沟道功率MOSFET,封装为TO252。该器件采用先进的Trench技术,具备较高的电流能力和低导通电阻,适用于高效能的电源管理和开关应用。其设计使其能够在-60V的高电压条件下稳定工作,适合用于各种需要高效开关和高负载能力的应用场景。
### 2. 详细参数说明:
- **封装类型**:TO252(DPAK)
- **配置**:单P沟道
- **击穿电压(VDS)**:-60V
- **栅极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 72mΩ@VGS=4.5V
- 61mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:-30A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
### 3. 适用领域和模块举例:
- **电源管理**:IRFR9014NTRPBF-VB适用于各种电源管理系统,如开关电源和DC-DC转换器。其低导通电阻和高电流能力使其能够在高效能电源转换中表现出色,提供低损耗和高效率的性能。
- **汽车电子**:在汽车电子领域,该MOSFET用于负载开关和电池管理系统。其高电流能力和低导通电阻对于提升汽车系统的功率管理和稳定性至关重要。
- **工业自动化**:在工业自动化设备中,例如电机控制和负载开关应用,IRFR9014NTRPBF-VB能够提供可靠的高电流开关功能,确保设备稳定运行。
- **可再生能源**:在太阳能发电系统和风能转换系统中,这款MOSFET能够有效处理电源开关和反极性保护等任务,增强系统的能效和可靠性。
IRFR9014NTRPBF-VB凭借其优良的电流处理能力和低导通电阻,在多个高性能应用领域中提供了卓越的性能和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12