**产品简介：**
IRFR9011-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，设计用于高电流和高效能应用。它具有-60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS）额定值。其负开启电压（Vth）为 -1.7V，确保在低栅源电压下能够开启。通过采用先进的沟槽（Trench）技术，这款 MOSFET 提供了较低的导通电阻，从而优化了功率转换效率和降低了开关损耗，适合用于高功率的电源管理和开关应用。
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**详细参数说明：**
- **封装类型**: TO252
- **通道配置**: 单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 61mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -30A
- **技术类型**: 沟槽 (Trench)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C
- **功率耗散 (Ptot)**: 70W
- **热阻 (RθJC)**: 2.1°C/W
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**应用领域与模块：**
1. **电池管理系统**:
IRFR9011-VB 适用于电池管理系统中的电源开关和保护电路。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够有效地管理和保护电池组，特别是在需要高效能和稳定性的电池系统中。
2. **开关电源（SMPS）**:
在开关模式电源（SMPS）中，这款 MOSFET 用于高效的电流开关。它的低导通电阻和优良的开关特性帮助实现更高效的功率转换，减少功耗和热量，提高电源的整体性能和可靠性。
3. **电动汽车及电机驱动**:
在电动汽车的电机驱动系统中，IRFR9011-VB 可以作为电机驱动的开关组件。它能够承受高电流负载，并且通过其低导通电阻提供高效的能量传输，支持电动汽车在各种工况下的稳定运行。
4. **消费电子产品**:
这款 MOSFET 也适用于各种消费电子产品中的功率开关应用，如电源适配器和充电器。其低导通电阻和稳定的开关性能可以提高产品的能效和性能，适合高功率的电源模块和保护电路。
