--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
- ID -30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRFR9010TRPBF-VB 产品简介
IRFR9010TRPBF-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,采用 TO252 封装。该器件使用 Trench(沟槽)技术,提供了优异的开关性能和稳定的电流处理能力。其额定漏源电压(VDS)为 -60V,栅源电压(VGS)可承受 ±20V。MOSFET 的阈值电压(Vth)为 -1.7V,低导通电阻(RDS(ON))分别为 72mΩ(VGS=4.5V)和 61mΩ(VGS=10V),漏极电流(ID)高达 -30A。这些特性使得 IRFR9010TRPBF-VB 非常适合用于各种电源管理和开关控制应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:-60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:72mΩ @ VGS=-4.5V;61mΩ @ VGS=-10V
- **最大漏极电流 (ID)**:-30A
- **技术**:Trench(沟槽技术)
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **开关速度**:高速
### 应用领域及模块
1. **电源管理**:IRFR9010TRPBF-VB 在电源管理应用中表现出色,特别是用于电源开关和电源保护电路中。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够高效地控制电源流动,减少功耗和热量。
2. **电池保护电路**:由于其优异的电流处理能力和可靠性,这款 MOSFET 适合用于电池保护电路中,如过充保护和过放保护,确保电池安全使用并延长电池寿命。
3. **电机控制**:在电机控制系统中,IRFR9010TRPBF-VB 的高电流能力和快速开关特性使其能够高效地驱动电机负载,提高电机的响应速度和工作效率。
4. **负载开关**:MOSFET 适用于各种负载开关应用,例如 LED 照明和其他高功率负载控制。其低导通电阻有助于减少开关过程中的功耗,从而提高系统的整体效率。
5. **汽车电子**:IRFR9010TRPBF-VB 的高温稳定性和高电流承载能力使其在汽车电子系统中非常有用,例如电动窗、门锁和座椅调节系统。
通过其优异的性能特点和广泛的适用性,IRFR9010TRPBF-VB 能够为多种电子应用提供高效、可靠的解决方案。
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