### 一、IRFR8713TRPBF-VB产品简介
IRFR8713TRPBF-VB 是一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造。它具有极低的导通电阻（RDS(ON)），在VGS=4.5V下为3mΩ，在VGS=10V下为2mΩ。该器件的最大漏源电压（VDS）为30V，最大栅源电压（VGS）为±20V，最大漏极电流（ID）为100A，封装在TO252（DPAK）中。IRFR8713TRPBF-VB 适用于高电流、高频率和高效率的开关电源应用。
### 二、IRFR8713TRPBF-VB详细参数说明
- **封装类型**：TO252（DPAK）
- **极性**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：100A
- **功耗 (Pd)**：60W
- **最大结温 (Tj)**：+175°C
- **工作模式**：增强模式
- **技术**：Trench技术
### 三、应用领域和模块举例
1. **高效电源转换**：在开关电源（SMPS）中，IRFR8713TRPBF-VB能够作为主要开关元件，高效地转换电压和管理功率。其低RDS(ON)特性可以减少功率损耗，提高转换效率，适用于高频开关和大电流应用。
2. **电动汽车（EV）电池管理系统**：该MOSFET在电动汽车的电池管理系统中提供高效的电流控制和保护，能够承受高达100A的电流，并在30V的电压下稳定工作。它的低导通电阻使得系统更加节能和可靠。
3. **高功率LED驱动**：在高功率LED照明系统中，IRFR8713TRPBF-VB可以用作LED驱动电路中的开关元件，提供稳定的电流控制。其优良的开关性能和低导通电阻有助于提高LED的整体效率和亮度。
4. **工业自动化**：该MOSFET在工业自动化系统中应用广泛，例如电机驱动和负载切换。其高电流承载能力和低导通电阻可以有效提高系统的响应速度和能效。
