**产品简介：**
IRFR7821CTRPBF-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET，适用于需要高电流和低导通电阻的应用场合。该 MOSFET 具有 30V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS）额定值。其通过先进的沟槽（Trench）技术实现了极低的导通电阻，确保高效的电流传输，适合高功率和高效能的开关电路设计。
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**详细参数说明：**
- **封装类型**: TO252
- **通道配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术类型**: 沟槽 (Trench)
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C
- **功率耗散 (Ptot)**: 94W
- **热阻 (RθJC)**: 1.3°C/W
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**应用领域与模块：**
1. **高效能电源管理**:
IRFR7821CTRPBF-VB 适用于需要高电流处理和低导通电阻的电源管理系统。它在开关电源（SMPS）中能提供高效的电流转换，减少能量损失，提升系统效率。尤其在 DC-DC 转换器中，它能够确保稳定的输出电压和电流。
2. **电动汽车和动力系统**:
在电动汽车的动力系统中，这款 MOSFET 可以用于电机驱动和电池管理系统。其高电流处理能力和低导通电阻保证了电机的高效驱动和电池的稳定供电，提升了整体系统的性能和可靠性。
3. **消费电子产品**:
在消费电子产品，如高性能笔记本电脑和游戏设备中，IRFR7821CTRPBF-VB 可用于电源开关和电流调节电路。其优异的开关特性和低导通电阻帮助实现更高效的电源管理，提升设备的运行性能和能效。
4. **工业自动化**:
这款 MOSFET 也适用于工业自动化领域中的功率开关和电机控制模块。其高电流处理能力和低导通电阻确保在重负载条件下的稳定运行，适合在严苛的工作环境中使用。
