--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -60V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 46mΩ@VGS=10V
- ID -35A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
IRFR5505TRRPBF-VB是一款P沟道MOSFET,采用TO-252封装,适合高效能电源转换应用。该器件采用先进的Trench技术,具备较低的导通电阻和高电流承载能力。其60V的漏源极电压和-35A的漏极电流能力,使其在各类开关电源和电机控制中具有出色的性能表现。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:TO-252
- **配置**:单一P沟道
- **漏源极电压(VDS)**:-60V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 58mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:-35A
- **技术**:Trench技术
- **功率耗散**:适用于高效热管理设计
### 三、应用领域及模块
1. **电源管理模块**:该MOSFET的低导通电阻和高电流能力使其非常适用于DC-DC转换器和开关电源设计。在这些应用中,它可用作同步整流器或主开关,以提升效率并降低功耗。
2. **电机驱动**:IRFR5505TRRPBF-VB的高电流和耐高压特性,使其适合用于电动机控制领域,特别是需要精确控制电流方向的应用,如无刷直流电机(BLDC)驱动器。
3. **自动化设备**:在自动化设备的继电器替换或电路保护电路中,此MOSFET可以用作电子开关,能够快速且可靠地响应电压变化。
4. **车载电子设备**:凭借其较高的电流能力和可靠性,该MOSFET也可用于车载电源管理、照明系统控制等领域,尤其适用于需要稳定且高效电源的车载环境。
通过这些应用示例,IRFR5505TRRPBF-VB展现了其在高效率、低损耗电路中的广泛应用潜力。
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