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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR540ZSPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR540ZSPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
  • ID 40A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介:
IRFR540ZSPBF-VB是一款采用TO252封装的单N沟道MOSFET,具有高效的功率开关能力和卓越的低导通电阻性能。该器件采用了先进的Trench技术,确保了在100V的漏源电压下提供40A的大电流输出能力。同时,其栅源电压(VGS)额定值为±20V,门极阈值电压为1.8V,使得它能够在较低的栅极驱动电压下实现有效的导通。其导通电阻在VGS为4.5V时为35mΩ,在VGS为10V时为30mΩ,适合应用在需要高效能量转换和功率管理的电路中。

### 2. 详细参数说明:
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门极阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 35mΩ @ VGS=4.5V,30mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 40A
- **技术类型**: Trench

### 3. 应用领域和模块举例:
- **电源管理模块**:IRFR540ZSPBF-VB广泛应用于直流-直流转换器、开关电源和电池管理系统等电源管理模块中。其低导通电阻和高电流能力使得它能够有效减少能量损耗,提高转换效率,特别适合高功率密度设计。
 
- **汽车电子系统**:在汽车电子系统中,如车载充电器、电动助力转向(EPS)和电动窗控制等领域,该MOSFET凭借其高电压和大电流特性,能够在恶劣环境下提供稳定的性能,确保系统的安全性和可靠性。
 
- **电机驱动和控制**:该器件适用于电机控制领域,如工业电机、无刷直流电机(BLDC)驱动器等。在这些应用中,IRFR540ZSPBF-VB通过其高效的功率开关特性,能够提供快速的开关响应和精确的电流控制,提升系统整体性能。
 
- **太阳能逆变器**:IRFR540ZSPBF-VB在太阳能逆变器模块中可用于直流输入的开关管理。由于其较低的开关损耗和高效的热性能,该MOSFET能够支持长时间稳定工作,适合于能量回馈和逆变模块。

这些应用领域展示了该MOSFET在多个行业和模块中的广泛适用性,特别是在要求高效率、低功耗的电源和电力转换系统中表现出色。

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