--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR420TR-VB 产品简介
IRFR420TR-VB 是一款设计用于高电压应用的单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO252。这款 MOSFET 采用 Plannar 技术,能够承受高达 650V 的漏源极电压(VDS),同时支持最大 ±30V 的栅源极电压(VGS)。其漏极电流(ID)为 4A,适用于需要高电压耐受能力的应用场景。尽管导通电阻相对较高,但它在特定高电压应用中仍能提供可靠的性能。
### 二、IRFR420TR-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2750mΩ @ VGS=4.5V
- 2200mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术类型**: Plannar
- **功率耗散**: 设计用于高电压应用,具备相应的功率处理能力。
### 三、IRFR420TR-VB 应用领域和模块示例
1. **高电压电源开关**
IRFR420TR-VB 的高漏源极电压(650V)使其非常适合用于高电压电源开关应用。它可以用于 AC-DC 电源转换器中的高电压开关,提供稳定的电流控制和保护。
2. **电力管理系统**
在电力管理系统中,例如电力逆变器或高压电源管理模块,IRFR420TR-VB 能够处理高电压负载,确保系统的稳定运行。虽然其导通电阻较高,但在高电压环境下表现良好。
3. **高压电动机驱动**
该 MOSFET 可用于高压电动机驱动应用中,特别是在需要控制和调节高电压电动机的场景。它能提供可靠的开关性能,尽管其导通电阻相对较高,但对于高电压应用仍然有效。
4. **高压开关电源**
在高压开关电源中,IRFR420TR-VB 可用于电源开关和调节。它能够承受高达 650V 的电压,适合用于要求高电压耐受能力的电源设计中。
5. **电动工具和设备**
在高电压电动工具和设备中,该 MOSFET 可以用于高压控制开关和保护电路。尽管导通电阻较高,但它能有效处理高电压,适用于需要高电压耐受的电动工具和设备。
IRFR420TR-VB 由于其高电压耐受能力,使其在高电压电源开关、电力管理系统、高压电动机驱动、高压开关电源以及电动工具和设备中表现出色。尽管导通电阻较高,但它在这些高电压应用中的稳定性和可靠性仍然使其成为优选组件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12