企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

IRFR420TR-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR420TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2200mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR420TR-VB 产品简介

IRFR420TR-VB 是一款设计用于高电压应用的单 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO252。这款 MOSFET 采用 Plannar 技术,能够承受高达 650V 的漏源极电压(VDS),同时支持最大 ±30V 的栅源极电压(VGS)。其漏极电流(ID)为 4A,适用于需要高电压耐受能力的应用场景。尽管导通电阻相对较高,但它在特定高电压应用中仍能提供可靠的性能。

### 二、IRFR420TR-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)  
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V  
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V  
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 2750mΩ @ VGS=4.5V  
 - 2200mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**: 4A  
- **技术类型**: Plannar  
- **功率耗散**: 设计用于高电压应用,具备相应的功率处理能力。

### 三、IRFR420TR-VB 应用领域和模块示例

1. **高电压电源开关**
  IRFR420TR-VB 的高漏源极电压(650V)使其非常适合用于高电压电源开关应用。它可以用于 AC-DC 电源转换器中的高电压开关,提供稳定的电流控制和保护。

2. **电力管理系统**
  在电力管理系统中,例如电力逆变器或高压电源管理模块,IRFR420TR-VB 能够处理高电压负载,确保系统的稳定运行。虽然其导通电阻较高,但在高电压环境下表现良好。

3. **高压电动机驱动**
  该 MOSFET 可用于高压电动机驱动应用中,特别是在需要控制和调节高电压电动机的场景。它能提供可靠的开关性能,尽管其导通电阻相对较高,但对于高电压应用仍然有效。

4. **高压开关电源**
  在高压开关电源中,IRFR420TR-VB 可用于电源开关和调节。它能够承受高达 650V 的电压,适合用于要求高电压耐受能力的电源设计中。

5. **电动工具和设备**
  在高电压电动工具和设备中,该 MOSFET 可以用于高压控制开关和保护电路。尽管导通电阻较高,但它能有效处理高电压,适用于需要高电压耐受的电动工具和设备。

IRFR420TR-VB 由于其高电压耐受能力,使其在高电压电源开关、电力管理系统、高压电动机驱动、高压开关电源以及电动工具和设备中表现出色。尽管导通电阻较高,但它在这些高电压应用中的稳定性和可靠性仍然使其成为优选组件。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    145浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    125浏览量