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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR3910CPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR3910CPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR3910CPBF-VB 产品简介

IRFR3910CPBF-VB 是一款高性能 N-沟道 MOSFET,封装为 TO252。它设计用于需要中等电压和电流处理的应用,提供稳定的性能和可靠的操作。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 100V,漏极电流 (ID) 可达 15A。在 VGS = 10V 时,导通电阻 (RDS(ON)) 为 114mΩ,能够在中等功率应用中提供有效的开关控制。该 MOSFET 采用 Trench 技术,优化了其开关速度和电流处理能力,非常适合用于各种功率管理和开关应用。

### 二、IRFR3910CPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO252
- **极性**:N-沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:15A
- **技术**:Trench 技术
- **功耗**:最大 75W
- **开关速度**:适用于中等开关频率应用
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**:典型值 55nC
- **输入电容 (Ciss)**:3000pF
- **反向恢复电荷 (Qrr)**:典型值 15nC

### 三、应用领域与模块

IRFR3910CPBF-VB MOSFET 的特点使其适用于多种领域和模块,特别是在需要中等电压和电流处理的应用中:

1. **电源管理**
  在电源管理系统中,IRFR3910CPBF-VB 可用于 DC-DC 转换器和电源稳压器。其中等导通电阻和电流处理能力确保了电源转换效率,并能在高电流负载下稳定工作。这对于需要高效电源管理的应用,如消费电子和工业设备,尤为重要。

2. **电池管理系统**
  该 MOSFET 在电池管理系统中可以用作电池保护开关和充电控制。其适中的导通电阻和电流处理能力可以确保电池在充放电过程中的稳定性,提高系统的可靠性,尤其是在便携式电子设备中,如智能手机和笔记本电脑。

3. **汽车电子**
  在汽车电子领域,IRFR3910CPBF-VB 适用于电动座椅控制、电源管理和车载照明系统。其稳定的电流处理能力和可靠性能够应对汽车电子系统中的高负载和复杂环境条件,提升系统的整体性能和耐用性。

4. **通信设备**
  IRFR3910CPBF-VB 适用于通信设备中的电源管理模块和高频开关应用。在无线通信基站和数据处理设备中,该 MOSFET 的中等电流处理能力和适中导通电阻能够有效支持设备的高效运行,确保通信系统的稳定性。

5. **消费电子产品**
  在消费电子产品中,如电视机、音响系统和游戏主机,IRFR3910CPBF-VB 能够提供稳定的电源开关和功率管理功能。其中等电流处理能力和低功耗特性确保了设备在高负载情况下的高效运行,延长了设备的使用寿命。

IRFR3910CPBF-VB MOSFET 提供了中等电压和电流处理能力,适合用于各种功率管理和开关应用。其稳定的性能和可靠性使其成为电源管理、汽车电子、通信设备以及消费电子产品中不可或缺的元件。

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