--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR3806PBF-VB 产品简介
IRFR3806PBF-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252。它采用 Trench 技术,设计用于处理高电流和中等电压应用。具有 60V 的漏源极电压(VDS)和 58A 的最大漏极电流(ID),IRFR3806PBF-VB 提供了出色的开关性能和低导通电阻。这使其在需要高电流和低功率损耗的应用中表现卓越,适合用于多种电子和电源管理领域。
### 二、IRFR3806PBF-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 58A
- **技术类型**: Trench
- **功率耗散**: 设计用于处理高电流,具备良好的散热性能。
### 三、IRFR3806PBF-VB 应用领域和模块示例
1. **电源开关和电源管理**
IRFR3806PBF-VB 可以用于电源开关应用中,如 DC-DC 转换器和电源管理模块。其低导通电阻(10mΩ @ VGS=10V)减少了功率损耗,提高了系统效率,适用于需要高效能和稳定性的电源系统。
2. **电动机驱动**
在电动机驱动系统中,该 MOSFET 能够提供强大的开关能力,用于控制电动机的启停和调速。其高漏极电流处理能力(58A)使其适用于高功率电动机控制,保证系统的平稳运行和高效能。
3. **充电器和电池管理**
IRFR3806PBF-VB 适合用作充电器和电池管理系统中的开关元件。其低导通电阻和高电流处理能力确保充电过程中的低功耗和高效能,从而提高电池的充电效率和使用寿命。
4. **功率放大器**
在功率放大器应用中,IRFR3806PBF-VB 能够有效处理高电流信号。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高功率放大器的性能和稳定性,适用于音频放大器和其他高功率放大应用。
5. **工业自动化**
在工业自动化设备中,例如用于开关控制和功率调节的设备,IRFR3806PBF-VB 提供了高电流处理能力和低导通电阻,适合用于高效的开关控制和保护应用。
IRFR3806PBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在电源管理、电动机驱动、充电器、电池管理、功率放大器以及工业自动化等领域表现优异。这些特性使其成为各种高电流应用中的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12