--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
- ID 45A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
一、IRFR3710ZTRLPBF-VB 产品简介
IRFR3710ZTRLPBF-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于中高电压应用。该 MOSFET 使用 Trench 技术,具有优良的开关性能和低导通电阻,使其在高电流应用中表现出色。其漏源极电压(VDS)为 100V,最大漏极电流(ID)为 45A。其开启电压(Vth)为 1.8V,这意味着它能够在相对较低的栅源极电压下稳定开启,适用于多种电子和电源管理应用。
二、IRFR3710ZTRLPBF-VB 详细参数说明
封装类型: TO252
配置: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
漏源极电压 (VDS): 100V
栅源极电压 (VGS): ±20V
开启电压 (Vth): 1.8V
导通电阻 (RDS(ON)):
18mΩ @ VGS=10V
漏极电流 (ID): 45A
技术类型: Trench
功率耗散: 设计用于处理高电流且具备良好的热性能。
三、IRFR3710ZTRLPBF-VB 应用领域和模块示例
电源开关和电源管理 IRFR3710ZTRLPBF-VB 可用于各种电源开关应用,例如 DC-DC 转换器和电源管理模块。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够在电源转换和控制中提供高效能,减少能量损耗,确保电源系统的稳定性和效率。
电动机驱动 在电动机驱动系统中,IRFR3710ZTRLPBF-VB 能够高效地控制电动机的启停和调速。其能够处理高电流,并具有较低的导通电阻,有助于提高电动机系统的性能和能效。
充电器和电池管理 在充电器和电池管理系统中,该 MOSFET 用于控制充电过程和电池保护。其低开启电压和高电流处理能力可以确保安全稳定的充电,延长电池的使用寿命。
功率放大器 在功率放大器应用中,IRFR3710ZTRLPBF-VB 可以用作开关元件,处理高电流并提供高效的功率放大。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统的整体性能。
工业自动化 在工业自动化设备中,例如用于开关控制和功率调节的设备,IRFR3710ZTRLPBF-VB 提供了高电流处理能力和低导通电阻,适合用于高效能的开关控制和保护应用。
IRFR3710ZTRLPBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其在电源管理、电动机驱动、充电器、电池管理和工业自动化等领域表现优异。这些特性使其成为各种高电流应用中理想的开关元件
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12