--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
IRFR3705ZTRPBF-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO252,专为各种高效能电力转换和开关应用设计。它基于先进的 Trench 技术,具有较低的导通电阻和高电流承载能力。该 MOSFET 的设计优化了开关速度和导电性能,适用于要求高功率密度和高可靠性的应用场景。
### 2. 详细参数说明:
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:58A
- **技术**:Trench 技术
- **其他特点**:提供较低的导通电阻和稳定的电流处理能力,适合高功率应用中的开关和功率控制。
### 3. 适用领域与模块举例:
- **汽车电子**:在汽车电子系统中,IRFR3705ZTRPBF-VB 可用于高功率负载的开关控制,如电动窗、座椅调节系统及车载电源管理模块。其低导通电阻特性帮助减少功耗并提高系统的整体效率。
- **电源管理**:在电源管理应用中,这款 MOSFET 可用于电源转换器(如降压转换器和升压转换器),在高电流和高压环境下提供稳定的电力供应。其优秀的导通性能和低 RDS(ON) 能显著提升电源转换效率和系统稳定性。
- **工业控制**:IRFR3705ZTRPBF-VB 适合用于工业设备的马达驱动和负载开关。这款 MOSFET 可以有效处理高电流负载,增强设备的可靠性和性能。
- **通信设备**:在通信设备中,例如基站和网络设备的电源管理系统中,该 MOSFET 可以用于功率开关和负载控制,帮助实现高效的电源转换和稳定的设备运行。
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