--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**IRFR3704ZPBF-VB** 是一款高性能的N-Channel MOSFET,采用紧凑的TO252封装,专为低电压、高电流应用设计。该MOSFET具备极低的导通电阻和快速开关性能,适合需要高效电源管理的应用环境。其Trench技术确保了高功率处理能力和低损耗,使其成为消费电子和工业设备中理想的选择。
### 详细参数说明
- **型号**:IRFR3704ZPBF-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N-Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:20V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏极电流 (ID)**:100A
- **技术**:Trench技术
### 适用领域和模块举例
1. **移动设备电源管理**:
- IRFR3704ZPBF-VB 非常适合用于智能手机、平板电脑等移动设备的电源管理模块中。它的低导通电阻和低阈值电压确保了电源转换效率的最大化,从而延长设备的电池续航时间。
2. **汽车电子系统**:
- 在汽车电子系统中,尤其是车载音响、信息娱乐系统和低压电气模块中,该MOSFET能够处理较高的电流需求,同时维持低功耗和低发热。其耐用性和高效性使其在恶劣工作环境下依然表现出色。
3. **电池管理系统(BMS)**:
- 在电池管理系统中,IRFR3704ZPBF-VB 可用于电池的充放电管理,确保电流的平稳传输和高效调节。其高电流处理能力和低导通电阻可降低损耗,提高电池组的整体能效。
4. **LED驱动模块**:
- 在LED驱动应用中,该MOSFET能有效降低开关损耗,确保LED模块在不同电压下的稳定性和亮度控制。这对于高效节能和长寿命的LED照明系统尤为重要。
凭借其低导通电阻、高电流承载能力和紧凑的封装,IRFR3704ZPBF-VB 适用于多种电源管理、高效驱动和低电压电路应用,尤其在便携设备和汽车电子领域表现尤为出色。
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