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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR3704TRRPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR3704TRRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR3704TRRPBF-VB 产品简介

IRFR3704TRRPBF-VB 是一款高效能的N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,封装在TO252封装中,具有优异的电流处理能力和低导通电阻。该器件的漏源电压(VDS)为20V,栅源电压(VGS)为±20V,具备极低的开启电压(Vth),仅为0.5V至1.5V。其导通电阻(RDS(ON))为6mΩ@VGS=2.5V,4.5mΩ@VGS=4.5V,漏极电流(ID)可达100A,使其适用于要求高电流处理的低压应用场景。此器件特别适合用于电源管理、低压开关和高效电流控制等应用。

### 二、IRFR3704TRRPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **最大功耗 (Ptot)**: 83W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**: 70nC @ VGS = 4.5V
- **输入电容 (Ciss)**: 4200pF
- **输出电容 (Coss)**: 750pF
- **反向传输电容 (Crss)**: 100pF
- **技术**: Trench

### 三、应用领域和模块示例

IRFR3704TRRPBF-VB 由于其低导通电阻、高电流处理能力和低开启电压,广泛适用于各种需要高效电流控制的低压应用。以下是一些领域和模块的示例:

1. **电源管理模块**:
  在DC-DC转换器和开关电源中,IRFR3704TRRPBF-VB 的低导通电阻和高电流能力使其能够在低压环境下提供高效的功率转换和电流管理,尤其适用于便携式设备和嵌入式系统的电源管理模块。

2. **低压开关应用**:
  由于其20V的VDS和高达100A的电流处理能力,该MOSFET非常适合低压开关应用,如电池供电设备、电子产品中的开关电路及智能家居设备。这类应用要求低开启电压和高效的电流控制,IRFR3704TRRPBF-VB 能够提供优越的性能。

3. **电机驱动和控制**:
  在电机控制系统中,IRFR3704TRRPBF-VB 可作为关键的开关器件,用于低电压电机驱动应用。其高电流能力和快速的开关特性使其适合电机启动、调速和方向控制模块中,尤其是需要精准控制的工业和家用电机驱动。

4. **汽车电子**:
  该器件在汽车电子中的低压控制电路中表现出色,例如用于汽车中的电池管理系统、电动座椅、电动车窗等。其高电流和低导通电阻能够提高系统的整体效率,并减少电路的功耗。

5. **负载开关**:
  在需要快速开关负载的大电流应用中,IRFR3704TRRPBF-VB 是理想的选择,尤其是在工业控制和消费电子中,能够确保低功耗和高效电流切换。

总之,IRFR3704TRRPBF-VB 适用于电源管理、低压开关、电机控制和汽车电子等应用,尤其是在要求高电流、低压和高效率的场合,能够为系统提供稳定可靠的解决方案。

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