--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 20V
- VGS 20(±V)
- Vth 0.5~1.5V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
- ID 100A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR3704TRLPBF-VB 产品简介
IRFR3704TRLPBF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,并应用了 Trench 技术。该器件提供了极低的导通电阻和极高的电流处理能力,适用于各种低电压应用。其漏源极电压 (VDS) 为 20V,最大漏极电流 (ID) 为 100A,使其在低电压大电流环境中具有出色的性能。低至 0.5V 的开启电压 (Vth) 和低导通电阻使其特别适合用于要求高速开关和低功率损耗的系统。
### 二、IRFR3704TRLPBF-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**: 20V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术类型**: Trench
- **功率耗散**: 在高电流的低压系统中提供高效能和低功耗。
### 三、IRFR3704TRLPBF-VB 应用领域和模块示例
1. **低电压 DC-DC 转换器**
IRFR3704TRLPBF-VB 在低电压高电流应用中表现尤为出色,特别适合用于 DC-DC 转换器。这些转换器用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式设备中,确保电能转换的高效性。
2. **电动工具**
在高电流的电动工具中,IRFR3704TRLPBF-VB 可作为开关元件,确保稳定的电流供应。其低导通电阻减少了功耗,提高了工具的运行效率和续航能力。
3. **电池管理系统**
这款 MOSFET 在电池管理系统中可以用来控制电流的开关,尤其适用于锂电池组等低压高电流的电池系统。其低开启电压和低导通电阻有助于延长电池寿命并提高充电效率。
4. **车载系统**
在汽车电子系统中,IRFR3704TRLPBF-VB 适用于低电压负载开关和功率调节应用,如电动车窗、座椅加热器等需要高电流的模块。
5. **快速充电器**
对于快速充电设备,IRFR3704TRLPBF-VB 提供了低导通电阻,能够减少充电过程中产生的热量,提升整体效率并加快充电速度。
IRFR3704TRLPBF-VB 以其卓越的电流处理能力、低导通电阻和快速响应速度,非常适合低压高电流的应用,尤其是在便携式设备和汽车电子系统中发挥重要作用。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12