--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 85A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
IRFR3504TRPBF-VB 是一款 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高效的电力转换和开关应用设计。该器件基于先进的 Trench 技术,提供了优异的导通电阻和高速切换性能。其低 RDS(ON) 特性使得它在功率管理、电源开关、马达驱动等应用中非常适用。
### 2. 详细参数说明:
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**:40V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**:85A
- **技术**:Trench 技术
- **其他特点**:快速切换能力、低导通电阻和高电流处理能力。
### 3. 适用领域与模块举例:
- **汽车电子**:IRFR3504TRPBF-VB 可以用于汽车电子控制单元(ECU)、电机控制以及电动窗、座椅调节等场景。这款 MOSFET 能提供低导通损耗,提高系统的能效。
- **电源管理模块**:该 MOSFET 可用于降压转换器、升压转换器等直流-直流转换电源模块。由于其低 RDS(ON) 和高电流处理能力,它能够有效减少功率损耗,提高电源转换效率。
- **工业控制**:在工业领域,IRFR3504TRPBF-VB 适用于驱动马达、继电器控制等功率管理模块,能为设备提供稳定的电流支持,且具备优良的抗电磁干扰能力。
- **通信设备**:它适合用于通信基站和服务器中的电源管理系统,帮助降低设备能耗,并保证系统稳定运行。
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