--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRFR3303TRLPBF-VB 产品简介
IRFR3303TRLPBF-VB 是一款高性能的N型MOSFET,采用TO252封装,专为高电流和低导通电阻应用设计。该MOSFET 支持最大30V的漏源电压(VDS),栅源电压(VGS)最大为±20V,具有低阈值电压(Vth)为1.7V。IRFR3303TRLPBF-VB 的导通电阻(RDS(ON))在VGS=4.5V时为9mΩ,而在VGS=10V时为7mΩ,能够承受最大70A的连续漏极电流。其采用Trench技术,提供了卓越的开关性能和低导通电阻,使其在高效能应用中表现出色。
### IRFR3303TRLPBF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单通道N型MOSFET
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 9mΩ(在VGS=4.5V时)
- 7mΩ(在VGS=10V时)
- **连续漏极电流(ID)**:70A
- **技术**:Trench(沟槽型)
- **最大功耗**:根据具体的散热设计和应用环境决定
- **热阻**:取决于封装和散热条件
### 适用领域与模块
IRFR3303TRLPBF-VB 的高电流能力和低导通电阻使其适用于各种需要高效电流开关和功率管理的应用。以下是一些具体应用示例:
1. **电源开关**:
IRFR3303TRLPBF-VB 适用于高效电源开关应用。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC转换器和开关电源(SMPS),能够显著提高电源的转换效率,并减少功率损耗。
2. **负载开关**:
在负载开关应用中,IRFR3303TRLPBF-VB 可用于控制高电流负载。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够稳定地开关大功率负载,广泛应用于工业设备和家用电器中。
3. **电机驱动**:
IRFR3303TRLPBF-VB 在电机驱动系统中表现优异。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够高效控制电动机,适用于中等功率电机驱动模块,提供稳定和高效的电机控制。
4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中,IRFR3303TRLPBF-VB 可用于电池管理和功率控制应用。由于其高电流处理能力和低导通电阻,它能够满足汽车电子对功率开关和管理的高要求。
5. **功率管理系统**:
IRFR3303TRLPBF-VB 适用于各种功率管理系统,如电池保护电路和电源分配模块。其优良的开关性能和高电流能力能确保系统的高效和稳定运行。
综上所述,IRFR3303TRLPBF-VB 以其优异的电流处理能力和低导通电阻,在电源开关、负载控制、电机驱动、汽车电子以及功率管理等领域提供了可靠和高效的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12