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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR320B-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR320B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR320B-VB 产品简介

IRFR320B-VB 是一款高电压 N-沟道 MOSFET,封装为 TO252。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术,具有高达 650V 的漏极-源极电压(VDS)和 5A 的最大漏极电流(ID)。IRFR320B-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 1000mΩ,适用于需要高电压和中等电流的应用。这种高电压 MOSFET 主要用于要求高耐压和高稳定性的电子电路中。

### 二、IRFR320B-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO252
- **极性**:N-沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:5A
- **技术**:SJ_Multi-EPI(多层 EPI 技术)
- **功耗**:最大 60W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**:典型值 68nC
- **输入电容 (Ciss)**:700pF
- **反向恢复电荷 (Qrr)**:典型值 20nC
- **典型开关频率**:高于100kHz

### 三、应用领域与模块

IRFR320B-VB 的设计使其在多种高电压和中等电流应用中表现优异,适合以下领域和模块:

1. **高压电源开关**
  IRFR320B-VB 在高压电源开关应用中表现卓越。其 650V 的高电压耐受能力使其适合用于高压电源模块、开关电源(SMPS)以及其他需要高电压保护的电源系统。这种 MOSFET 能够高效地处理高电压切换,确保电源系统的稳定性和可靠性。

2. **电力转换器**
  在电力转换器中,IRFR320B-VB 提供了必要的高电压和中等电流能力。它在 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中使用时,能够有效地转换电压并保持系统高效运作。其导通电阻适中的特点有助于降低功耗并提高系统效率。

3. **电机控制**
  IRFR320B-VB 也适用于电机控制应用,特别是在需要高电压保护的场景中。尽管其电流能力有限,但它能在高电压条件下稳定控制电机的启动和运行,适合用于高压驱动电机和工业控制系统。

4. **工业电源管理**
  在工业电源管理系统中,IRFR320B-VB 能够处理高电压负载,适合用于高压电池管理系统、电源分配和功率模块。其高电压耐受性和稳定性能对于保障工业设备的电力供应和保护具有重要作用。

5. **高压开关设备**
  IRFR320B-VB 在高压开关设备中能够有效处理高电压负载,适用于各种开关控制系统。其高耐压特性使其在需要处理高电压的开关和保护电路中表现稳定,确保设备的可靠性和安全性。

通过上述应用场景,可以看出 IRFR320B-VB 在高电压和中等电流的应用中具有广泛的适用性,特别是在电源开关、电力转换、电机控制和工业电源管理等领域。### 一、IRFR320B-VB 产品简介

IRFR320B-VB 是一款高电压 N-沟道 MOSFET,封装为 TO252。该 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技术,具有高达 650V 的漏极-源极电压(VDS)和 5A 的最大漏极电流(ID)。IRFR320B-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 1000mΩ,适用于需要高电压和中等电流的应用。这种高电压 MOSFET 主要用于要求高耐压和高稳定性的电子电路中。

### 二、IRFR320B-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO252
- **极性**:N-沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 1000mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:5A
- **技术**:SJ_Multi-EPI(多层 EPI 技术)
- **功耗**:最大 60W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**:典型值 68nC
- **输入电容 (Ciss)**:700pF
- **反向恢复电荷 (Qrr)**:典型值 20nC
- **典型开关频率**:高于100kHz

### 三、应用领域与模块

IRFR320B-VB 的设计使其在多种高电压和中等电流应用中表现优异,适合以下领域和模块:

1. **高压电源开关**
  IRFR320B-VB 在高压电源开关应用中表现卓越。其 650V 的高电压耐受能力使其适合用于高压电源模块、开关电源(SMPS)以及其他需要高电压保护的电源系统。这种 MOSFET 能够高效地处理高电压切换,确保电源系统的稳定性和可靠性。

2. **电力转换器**
  在电力转换器中,IRFR320B-VB 提供了必要的高电压和中等电流能力。它在 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中使用时,能够有效地转换电压并保持系统高效运作。其导通电阻适中的特点有助于降低功耗并提高系统效率。

3. **电机控制**
  IRFR320B-VB 也适用于电机控制应用,特别是在需要高电压保护的场景中。尽管其电流能力有限,但它能在高电压条件下稳定控制电机的启动和运行,适合用于高压驱动电机和工业控制系统。

4. **工业电源管理**
  在工业电源管理系统中,IRFR320B-VB 能够处理高电压负载,适合用于高压电池管理系统、电源分配和功率模块。其高电压耐受性和稳定性能对于保障工业设备的电力供应和保护具有重要作用。

5. **高压开关设备**
  IRFR320B-VB 在高压开关设备中能够有效处理高电压负载,适用于各种开关控制系统。其高耐压特性使其在需要处理高电压的开关和保护电路中表现稳定,确保设备的可靠性和安全性。

通过上述应用场景,可以看出 IRFR320B-VB 在高电压和中等电流的应用中具有广泛的适用性,特别是在电源开关、电力转换、电机控制和工业电源管理等领域。

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