产品简介
IRFR310T-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO252。这款 MOSFET 能够承受高达 650V 的漏源电压（VDS），并且具有 ±30V 的栅源电压（VGS）范围。它的开启阈值电压（Vth）为 3.5V，导通电阻（RDS(ON)）为 2750mΩ（@VGS=4.5V）和 2200mΩ（@VGS=10V），可以处理最大 4A 的漏极电流（ID）。IRFR310T-VB 采用 Plannar 技术，适合用于需要高电压和稳定性能的应用场景。
详细参数说明
封装: TO252
极性: 单一 N 沟道
最大漏源电压 (VDS): 650V
最大栅源电压 (VGS): ±30V
开启阈值电压 (Vth): 3.5V
导通电阻 (RDS(ON)):
2750mΩ @ VGS=4.5V
2200mΩ @ VGS=10V
最大漏极电流 (ID): 4A
功耗 (Ptot): 80W
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
技术: Plannar
应用领域与模块示例
高压电源开关: IRFR310T-VB 的高漏源电压（650V）使其非常适合用于高压电源开关应用，例如在高电压电源系统中，能够提供稳定的开关性能和高耐压能力，确保电源系统的安全和可靠性。
电气保护电路: 在需要高电压保护的电路中，如电气保护模块和过压保护电路，IRFR310T-VB 的高耐压能力和稳定性能能够有效保护电路免受过压影响，增加电气设备的安全性和耐用性。
高压逆变器: 在高压逆变器中，IRFR310T-VB 可以用作开关元件，处理高电压和电流，确保逆变器的高效运行和稳定输出。其高漏源电压适合用于太阳能逆变器和其他高压逆变系统。
工业设备: 在工业设备中，例如高压电机驱动和工业电源系统，IRFR310T-VB 的高耐压和高功率处理能力使其能够可靠地承受高电压和电流负荷，提高设备的性能和稳定性。
IRFR310T-VB 的高电压耐受能力和稳定性能，使其在高压电源开关、电气保护电路、高压逆变器以及工业设备等领域得到了广泛应用，提供了可靠的开关和控制功能
