--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRFR2908TRPBF-VB 产品简介
IRFR2908TRPBF-VB 是一款高性能的单通道N型MOSFET,采用TO252封装,设计用于高效电源开关和功率管理应用。该MOSFET 支持最大100V的漏源电压(VDS),栅源电压(VGS)最大为±20V,具有低阈值电压(Vth)为1.8V。IRFR2908TRPBF-VB 的导通电阻(RDS(ON))为35mΩ(在VGS=4.5V时)和30mΩ(在VGS=10V时),能够承受最大40A的连续漏极电流。它采用Trench技术,这种技术提供了优异的开关性能和低导通电阻,使其在高功率和高效率应用中表现优异。
### IRFR2908TRPBF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单通道N型MOSFET
- **漏源电压(VDS)**:100V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.8V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 35mΩ(在VGS=4.5V时)
- 30mΩ(在VGS=10V时)
- **连续漏极电流(ID)**:40A
- **技术**:Trench(沟槽型)
- **最大功耗**:根据具体的散热设计和应用环境决定
- **热阻**:取决于封装和散热条件
### 适用领域与模块
IRFR2908TRPBF-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其适合用于各种领域和模块,以下是一些具体应用示例:
1. **电源开关**:
IRFR2908TRPBF-VB 是高效电源开关的理想选择。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和其他电源管理应用中,能显著提高电源的转换效率和降低功率损耗。
2. **功率管理**:
在功率管理应用中,IRFR2908TRPBF-VB 能够有效控制中高功率负载。它的低导通电阻和较高的电流承载能力使其适用于电池管理系统、电源分配模块等,确保系统的稳定性和高效性。
3. **负载开关**:
IRFR2908TRPBF-VB 可用于各种负载开关应用,包括工业设备和家用电器中的负载控制。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够可靠地开关中等功率负载,提高系统的可靠性和响应速度。
4. **电机驱动**:
在电机驱动应用中,IRFR2908TRPBF-VB 可用于控制电动机的开关。由于其高电流处理能力和低导通电阻,它能够提供高效的电机控制,适用于中等功率电机驱动模块。
5. **汽车电子**:
在汽车电子系统中,如电动汽车的电池管理系统和电机驱动控制,IRFR2908TRPBF-VB 可用于高效开关和功率管理。其高电流能力和优良的导通性能能够满足汽车电子对稳定性和效率的要求。
综上所述,IRFR2908TRPBF-VB 以其高电流处理能力、低导通电阻和优异的开关性能,适用于电源开关、功率管理、负载开关、电机驱动和汽车电子等多个领域,为各种应用提供了可靠和高效的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12