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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR2905TRLPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR2905TRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
  • ID 58A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR2905TRLPBF-VB 产品简介

IRFR2905TRLPBF-VB 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,封装为 TO252。这款 MOSFET 采用 Trench 技术,具有 60V 的最大漏极-源极电压(VDS)和 58A 的最大漏极电流(ID)。其导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 4.5V 时为 13mΩ,在 VGS = 10V 时为 10mΩ,这使得它在低电阻和高电流应用中表现出色。IRFR2905TRLPBF-VB 的设计旨在提供高效能和低功耗的解决方案,适用于需要高电流和高效能的电子设备和电路。

### 二、IRFR2905TRLPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO252
- **极性**:N-沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 13mΩ @ VGS = 4.5V
 - 10mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:58A
- **技术**:Trench(沟槽技术)
- **功耗**:最大 94W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**:典型值 60nC
- **输入电容 (Ciss)**:680pF
- **反向恢复电荷 (Qrr)**:典型值 15nC
- **典型开关频率**:高于100kHz

### 三、应用领域与模块

IRFR2905TRLPBF-VB 具有出色的低导通电阻和高电流处理能力,使其在多个领域和模块中表现优异:

1. **高效电源开关**
  在电源开关应用中,IRFR2905TRLPBF-VB 通过其低导通电阻和高电流能力,提供高效能的开关性能。它特别适合用于 DC-DC 转换器和电源稳压模块,能够显著减少功耗和提高系统效率。

2. **电机驱动**
  IRFR2905TRLPBF-VB 在电机驱动系统中表现卓越,适用于需要高电流的电机控制应用。其高电流处理能力确保电机在启动、运行和制动过程中能够稳定运作,提供可靠的性能和高效的控制。

3. **电源管理**
  在电源管理系统中,如电池管理和电源分配,IRFR2905TRLPBF-VB 能够高效地处理大电流负载。它的低导通电阻和高电流能力有助于优化电源管理,提高系统的整体稳定性和效率。

4. **功率转换**
  在功率转换应用中,例如逆变器和高效能功率转换器,IRFR2905TRLPBF-VB 提供可靠的高电流和低导通电阻,保证功率转换过程中的高效和稳定。其优异的性能使其在各种功率转换任务中表现出色。

5. **工业控制**
  IRFR2905TRLPBF-VB 在工业控制系统中用于高电流负载的控制,其低导通电阻和高电流能力确保稳定的操作。它适用于工业自动化和设备控制,帮助提高控制系统的可靠性和效率。

这些应用场景显示了 IRFR2905TRLPBF-VB 在高电流和低导通电阻的需求下的强大能力,特别是在电源开关、电机驱动、电源管理和功率转换等高效能领域。

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