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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR2703TRPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR2703TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR2703TRPBF-VB 产品简介

IRFR2703TRPBF-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该 MOSFET 采用 Trench 技术设计,具有极低的导通电阻和高电流处理能力,适合高效开关和控制应用。其漏源极电压 (VDS) 为 30V,最大漏极电流 (ID) 为 70A,适用于要求高开关速度和低导通损耗的应用场景。IRFR2703TRPBF-VB 的开启电压 (Vth) 为 1.7V,能够在较低的栅源极电压下有效开关,导通电阻在 10V 的栅源极电压下仅为 7mΩ,提供优异的导电性能和开关效率。

### 二、IRFR2703TRPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)  
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V  
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V  
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 7mΩ @ VGS=10V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS=4.5V  
- **漏极电流 (ID)**: 70A  
- **技术类型**: Trench 技术  
- **功率耗散**: 由于超低导通电阻,适合高功率密度应用,确保高效率和低发热量。

### 三、IRFR2703TRPBF-VB 应用领域和模块示例

1. **高效 DC-DC 转换器**
  IRFR2703TRPBF-VB 的低导通电阻和高电流能力使其成为高效 DC-DC 转换器中的理想选择。它能够在高效率转换过程中减少能量损失,广泛应用于电源适配器、计算机电源和通信设备中的电源管理系统。

2. **电机驱动**
  该 MOSFET 可以用作电机驱动电路中的开关元件,特别是在需要高电流和低功耗的应用中。其 70A 的电流能力适合中高功率电机控制,如电动工具、电动车驱动系统等。

3. **功率开关**
  在各种功率开关应用中,IRFR2703TRPBF-VB 能够处理高电流,提供可靠的开关性能。适用于开关电源、负载开关和过流保护电路,以实现高效的功率管理和系统保护。

4. **电源保护**
  该 MOSFET 适用于电源保护电路,如过电流保护和短路保护。其低导通电阻可以有效减少在保护状态下的功耗,保护电源系统免受损害。

5. **照明控制**
  IRFR2703TRPBF-VB 可以用在高功率照明系统中,如 LED 驱动器和高功率灯具。其高电流能力和低导通电阻帮助提高系统效率,并延长设备寿命。

IRFR2703TRPBF-VB 的优异性能使其适合各种需要高电流和高效能的电力电子应用。

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