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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR234BTM-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR234BTM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR234BTM-VB 产品简介

IRFR234BTM-VB 是一款高电压N沟道MOSFET,采用Trench技术并封装在TO252外壳中。它设计用于需要高达250V漏源电压的应用,具备3.5V的开启电压(Vth)。在10V的栅源电压下,IRFR234BTM-VB 提供了176mΩ的导通电阻(RDS(ON)),其最大漏极电流为17A。这款MOSFET在高电压和中等电流的应用场合中表现优异,非常适合用于电源开关和功率管理系统。

### 二、IRFR234BTM-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 176mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 17A
- **最大功耗 (Ptot)**: 75W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关时间**: 适合中等频率应用
- **技术**: Trench技术
- **输入电容 (Ciss)**: 2200pF
- **输出电容 (Coss)**: 850pF

### 三、应用领域和模块示例

IRFR234BTM-VB 的特性使其在多个应用领域中具有广泛的适用性:

1. **高电压电源开关**:
  IRFR234BTM-VB 适合用于高电压电源开关的应用。其250V的漏源电压和17A的漏极电流使其在电源模块和高电压电源转换器中表现出色,例如在电力分配系统中作为开关控制元件,确保高效稳定的电流管理。

2. **功率管理和调节**:
  在功率管理系统中,IRFR234BTM-VB 可用于电源调节模块。它可以有效控制电源的开关状态和电流流量,适用于DC-DC转换器和电源适配器等设备,提升系统的电源效率和稳定性。

3. **电动工具和家用电器**:
  IRFR234BTM-VB 也适用于中等功率的电动工具和家用电器。它能够在这些设备中作为电源开关,实现稳定可靠的电流控制。例如,电动工具中的开关控制和家电中的电源管理都能利用这款MOSFET来提升操作性能。

4. **逆变器和电源模块**:
  在逆变器和电源模块中,IRFR234BTM-VB 可以作为开关元件,处理高电压电源转换。其250V的漏源电压和17A的漏极电流适合应用于逆变器系统,确保稳定和高效的电力转换过程。

5. **照明控制**:
  IRFR234BTM-VB 也可以用于高电压照明控制系统。在这种应用中,它能有效地管理高功率照明设备的电源开关,提供稳定的控制性能,适合用作大功率灯具的开关控制器。

IRFR234BTM-VB 的250V漏源电压、17A漏极电流和176mΩ导通电阻使其成为电源开关、功率管理、逆变器、电动工具以及照明控制等多个应用领域的理想选择。

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