**产品简介**
IRFR2307ZTR-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高效开关应用设计。它的漏源电压（VDS）为100V，栅源电压（VGS）范围为±20V，适用于多种中高电压的电子系统。该MOSFET 的开启电压（Vth）为1.8V，采用Trench技术制造，具有优良的开关性能。在VGS=10V时，其导通电阻（RDS(ON)）为18mΩ，能够处理高达45A的漏极电流（ID）。IRFR2307ZTR-VB 以其较低的导通电阻和高电流承载能力，为中高功率开关应用提供了可靠的解决方案。
**详细参数说明**
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：18mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：45A
- **技术**：Trench
- **功耗**：62W
- **最大工作温度**：175°C
**应用领域与模块**
1. **高效电源开关**：IRFR2307ZTR-VB 在DC-DC转换器和电源管理系统中表现优异。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够有效地控制电源转换过程中的电流和电压，从而提高整体系统的效率和稳定性。
2. **电机驱动控制**：在电机驱动系统中，例如无刷直流电机（BLDC）控制器，IRFR2307ZTR-VB 能够稳定地处理高电流和高电压条件。其高电流承载能力和低RDS(ON)能够减少功率损耗，提高电机驱动的效率和可靠性。
3. **汽车电子**：IRFR2307ZTR-VB 在汽车电子系统中，如电动窗户控制、电池管理系统和电机控制模块中非常适用。其高电压和电流处理能力能够支持汽车中的各种功率控制应用，保证系统的稳定性和长寿命。
4. **消费电子产品**：该MOSFET 也适用于一些高功率消费电子产品，如高效能的电源适配器和电池充电器。其低导通电阻和高电流处理能力有助于提高这些设备的能源转换效率和整体性能。
IRFR2307ZTR-VB 的这些应用示例表明了其在中高功率开关应用中的重要性，特别是在要求高效能和高稳定性的领域中。
