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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR224TRR-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR224TRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR224TRR-VB 产品简介

IRFR224TRR-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO252。它设计用于在高达 250V 的漏源极电压(VDS)和 ±20V 的栅源极电压(VGS)下操作。该 MOSFET 的门槛电压(Vth)为 3V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 640mΩ。其最大漏极电流(ID)为 4.5A。IRFR224TRR-VB 使用了先进的沟槽(Trench)技术,以优化开关性能和电流处理能力,特别适用于高电压电源管理和控制系统。

### 二、IRFR224TRR-VB 详细参数说明

- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:250V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **门槛电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:640mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:4.5A
- **技术类型**:沟槽(Trench)

### 三、应用领域和模块说明

IRFR224TRR-VB 的高电压和适中的电流能力使其适用于多个领域,特别是在高电压应用中。以下是一些主要的应用领域和模块示例:

1. **高电压电源管理**:
  - **应用示例**:IRFR224TRR-VB 可以用于高电压电源管理系统中的开关组件,例如高电压 DC-DC 转换器。在这些应用中,MOSFET 需要处理高达 250V 的电压,而 IRFR224TRR-VB 提供了足够的电压处理能力,尽管其导通电阻相对较高,但仍适合用于高电压环境。

2. **电源开关**:
  - **应用示例**:在需要高电压开关的电源模块中,例如高电压保护开关或电源管理开关,IRFR224TRR-VB 可以作为开关元件。其高电压承受能力使其在电源开关应用中表现出色。

3. **电动工具和家电**:
  - **应用示例**:在高电压电动工具和家用电器中,IRFR224TRR-VB 可以用作功率开关元件。虽然其导通电阻为 640mΩ,但在这些应用中,其高电压能力确保了设备的稳定性和可靠性。

4. **工业电源**:
  - **应用示例**:在工业自动化和控制系统中,IRFR224TRR-VB 可用于高电压电源控制和保护模块。其高电压处理能力使其适用于高电压工业电源的开关和控制应用。

5. **电池管理系统**:
  - **应用示例**:在高电压电池管理系统中,IRFR224TRR-VB 可用于电池的保护和开关控制。其能够处理高达 250V 的电压,适合用于高电压电池组的管理。

6. **功率放大器**:
  - **应用示例**:在高电压功率放大器中,IRFR224TRR-VB 可以用作开关部分。其高电压和适中的电流能力使其能够处理高电压下的功率转换需求。

这些应用示例展示了 IRFR224TRR-VB 在高电压环境中的能力,使其成为电源管理、工业自动化、家用电器等领域的合适选择。

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