--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 250V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
- ID 4.5A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### IRFR224TRL-VB 产品简介
IRFR224TRL-VB 是一款高性能单通道N型MOSFET,封装类型为TO252。该MOSFET 设计用于处理中等电压和电流应用,其漏源电压(VDS)最大可达250V,栅源电压(VGS)最大为±20V。它的阈值电压为3V,导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为640mΩ,能够承载最大4.5A的连续漏极电流。IRFR224TRL-VB 采用Trench(沟槽型)技术,这种技术优化了其开关性能和导通电阻,使其在各种功率开关和电源管理应用中表现优异。
### IRFR224TRL-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单通道N型MOSFET
- **漏源电压(VDS)**:250V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 640mΩ(在VGS=10V时)
- **连续漏极电流(ID)**:4.5A
- **技术**:Trench(沟槽型)
- **最大功耗**:具体取决于散热设计和工作环境
- **热阻**:具体取决于封装和散热配置
### 适用领域与模块
IRFR224TRL-VB 的特性使其适合于多个应用领域,以下是一些具体示例:
1. **电源开关**:
在电源开关应用中,IRFR224TRL-VB 能够有效处理中等电压和电流负载。它的高耐压和适中的导通电阻使其成为开关电源、适配器和其他电源管理模块的理想选择。MOSFET 的性能帮助优化电源转换效率,减少功率损耗。
2. **功率转换**:
这款MOSFET 适用于DC-DC转换器和AC-DC转换器。其Trench技术和低导通电阻有助于提升功率转换器的效率,使其在各种功率转换应用中表现优异。特别适合用于需要高效能的功率转换设计,如电源模块和电子设备的电源供应系统。
3. **负载开关**:
IRFR224TRL-VB 可用于各种负载开关应用,其稳定的开关性能使其适合控制中等功率负载。例如,在工业设备、家用电器及其他控制系统中,这款MOSFET 能够可靠地控制负载的开关操作,提高系统的整体稳定性和效率。
4. **电池保护**:
在电池保护电路中,IRFR224TRL-VB 能够有效地管理电池的充放电过程。其高耐压和良好的开关性能使其能够保护电池免受过流或过压的影响,适用于电池管理系统和其他电池保护应用。
5. **电机驱动**:
作为电机驱动应用中的开关元件,IRFR224TRL-VB 可用于控制中等功率电机的开关操作。它的高耐压和适中的导通电阻使其适合用于电机驱动模块中,帮助提高系统的效率和可靠性。
IRFR224TRL-VB 的设计使其在电源开关、功率转换、负载开关、电池保护和电机驱动等领域表现优异,能够满足各种应用的高效能和稳定性需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12