--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 250V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
- ID 4.5A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR224BTM-VB 产品简介
IRFR224BTM-VB 是一款高电压N沟道MOSFET,采用Trench技术并封装在TO252外壳中。其设计用于需要250V漏源电压的应用场合,提供可靠的开关性能。该MOSFET具有3V的开启电压(Vth),在栅源电压为10V时,导通电阻(RDS(ON))为640mΩ,最大漏极电流(ID)为4.5A。它在高电压和中等电流应用中表现出色,适用于多种电源管理和开关控制场景。
### 二、IRFR224BTM-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 640mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 4.5A
- **最大功耗 (Ptot)**: 75W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关时间**: 适合中等频率应用
- **技术**: Trench技术
- **输入电容 (Ciss)**: 2200pF
- **输出电容 (Coss)**: 850pF
### 三、应用领域和模块示例
IRFR224BTM-VB 的特性使其在以下领域和模块中具有广泛应用:
1. **高电压电源开关**:
IRFR224BTM-VB 适用于需要高电压开关的电源管理系统。其250V的漏源电压和4.5A的漏极电流使其成为高电压电源模块的理想选择,例如工业电源系统中的开关元件,能够有效控制电源的开关和流动。
2. **功率管理模块**:
在功率管理模块中,IRFR224BTM-VB 可用于电源转换和调节。其高电压耐受能力使其适合于电源模块、电源适配器和DC-DC转换器等设备中,帮助实现高效的电力管理和稳压。
3. **电动工具和家电**:
IRFR224BTM-VB 的特性使其适用于一些中等功率的电动工具和家电中。它可以作为电源开关在这些设备中提供稳定可靠的电流控制,例如电动工具的开关控制和家电的电源管理。
4. **逆变器**:
在中功率逆变器应用中,IRFR224BTM-VB 可以作为开关元件,用于高电压电源转换。其250V的漏源电压和4.5A的漏极电流适合用于逆变器系统,确保逆变器的高效和稳定运行。
5. **照明控制**:
IRFR224BTM-VB 适用于高电压照明控制系统。例如,在高功率照明应用中,它可以用作开关控制器,管理大功率灯具的电源开关,提供高效的电流控制和可靠性。
IRFR224BTM-VB 的250V漏源电压、4.5A漏极电流和640mΩ导通电阻使其成为高电压电源开关、功率管理、逆变器、电动工具和照明控制等多个应用领域的合适选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12