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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR224BTM-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR224BTM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 640mΩ@VGS=10V
  • ID 4.5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR224BTM-VB 产品简介

IRFR224BTM-VB 是一款高电压N沟道MOSFET,采用Trench技术并封装在TO252外壳中。其设计用于需要250V漏源电压的应用场合,提供可靠的开关性能。该MOSFET具有3V的开启电压(Vth),在栅源电压为10V时,导通电阻(RDS(ON))为640mΩ,最大漏极电流(ID)为4.5A。它在高电压和中等电流应用中表现出色,适用于多种电源管理和开关控制场景。

### 二、IRFR224BTM-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 640mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 4.5A
- **最大功耗 (Ptot)**: 75W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关时间**: 适合中等频率应用
- **技术**: Trench技术
- **输入电容 (Ciss)**: 2200pF
- **输出电容 (Coss)**: 850pF

### 三、应用领域和模块示例

IRFR224BTM-VB 的特性使其在以下领域和模块中具有广泛应用:

1. **高电压电源开关**:
  IRFR224BTM-VB 适用于需要高电压开关的电源管理系统。其250V的漏源电压和4.5A的漏极电流使其成为高电压电源模块的理想选择,例如工业电源系统中的开关元件,能够有效控制电源的开关和流动。

2. **功率管理模块**:
  在功率管理模块中,IRFR224BTM-VB 可用于电源转换和调节。其高电压耐受能力使其适合于电源模块、电源适配器和DC-DC转换器等设备中,帮助实现高效的电力管理和稳压。

3. **电动工具和家电**:
  IRFR224BTM-VB 的特性使其适用于一些中等功率的电动工具和家电中。它可以作为电源开关在这些设备中提供稳定可靠的电流控制,例如电动工具的开关控制和家电的电源管理。

4. **逆变器**:
  在中功率逆变器应用中,IRFR224BTM-VB 可以作为开关元件,用于高电压电源转换。其250V的漏源电压和4.5A的漏极电流适合用于逆变器系统,确保逆变器的高效和稳定运行。

5. **照明控制**:
  IRFR224BTM-VB 适用于高电压照明控制系统。例如,在高功率照明应用中,它可以用作开关控制器,管理大功率灯具的电源开关,提供高效的电流控制和可靠性。

IRFR224BTM-VB 的250V漏源电压、4.5A漏极电流和640mΩ导通电阻使其成为高电压电源开关、功率管理、逆变器、电动工具和照明控制等多个应用领域的合适选择。

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