--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR222-VB 产品简介
IRFR222-VB 是一款高电压 N-沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,基于 Trench 技术设计。它具有 200V 的最大漏极-源极电压(VDS)和 10A 的最大漏极电流(ID)。其导通电阻 (RDS(ON)) 为 245mΩ,适用于中等电流的高电压应用。IRFR222-VB 的高电压能力和可靠的开关性能使其在电源管理和开关控制等领域中表现优异。
### 二、IRFR222-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **极性**:N-沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:200V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:245mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:10A
- **技术**:Trench(沟槽技术)
- **功耗**:最大 40W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**:典型值 90nC
- **输入电容 (Ciss)**:700pF
- **反向恢复电荷 (Qrr)**:典型值 30nC
- **典型开关频率**:高于50kHz
### 三、应用领域与模块
IRFR222-VB 的高电压处理能力和中等电流能力使其在多个应用领域中表现出色,尤其是在需要高电压和中等电流的场合。以下是其主要应用领域:
1. **电源管理**
在电源管理应用中,例如 DC-DC 转换器和电源稳压模块,IRFR222-VB 能够处理高电压下的开关任务。其较低的导通电阻有助于提高电源效率和减少功耗,尽管其最大漏极电流不算特别高,但其高电压能力使其适合用于高电压的电源管理任务。
2. **开关控制**
IRFR222-VB 适用于高电压的开关控制应用,如开关电源和负载开关。在这些应用中,它能够稳定地处理高电压下的开关操作,控制电流流动并优化电路性能。
3. **电机驱动**
在电机控制系统中,特别是在需要高电压的应用中,IRFR222-VB 提供了高电压的开关能力。它的中等电流能力和高电压处理能力使其能够稳定地控制电机启动和运行过程中的电流。
4. **工业控制**
在工业控制系统中,IRFR222-VB 可用于高电压的开关控制和负载管理。它的高电压处理能力和中等电流能力使其能够有效地管理工业设备中的电流,确保系统的可靠性和稳定性。
5. **电池管理**
对于高电压电池管理系统,IRFR222-VB 可以用于电池的保护和开关控制。其高电压能力使其能够处理电池充放电过程中的电流,确保电池系统的安全和稳定。
这些应用场景展示了 IRFR222-VB 在高电压和中等电流需求的场合中的广泛适用性,其稳定的开关性能和相对较低的导通电阻使其在电源管理、电机驱动和工业控制等领域中表现出色。
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