--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR210B-VB 产品简介
IRFR210B-VB 是一款高电压N沟道MOSFET,采用了Trench技术,并封装在TO252外壳中。该器件具有200V的漏源电压(VDS),±20V的栅源电压(VGS)范围,以及3V的开启电压(Vth)。在栅源电压为10V时,其导通电阻(RDS(ON))为850mΩ,最大漏极电流(ID)为5A。这款MOSFET 的设计主要针对中高电压应用,能够提供稳定的开关性能和较高的电流处理能力,适合用于各种电源管理和开关控制场景。
### 二、IRFR210B-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 850mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 5A
- **最大功耗 (Ptot)**: 65W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关时间**: 适合中等频率应用
- **技术**: Trench技术
- **输入电容 (Ciss)**: 2600pF
- **输出电容 (Coss)**: 950pF
### 三、应用领域和模块示例
IRFR210B-VB 的特性使其适用于以下领域和模块:
1. **电源开关**:在电源开关应用中,IRFR210B-VB 能够承受200V的高电压和处理高达5A的电流。其较高的导通电阻适用于电流不太高的场合,能够提供稳定的开关功能。该MOSFET 适合用于电源管理系统中的低到中功率开关应用。
2. **负载开关**:这款MOSFET 可以在负载开关应用中有效工作,控制较小功率负载的开关。其3V的开启电压保证了在低电压信号下也能有效驱动开关,适合用于家电和小型工业设备中。
3. **中低功率逆变器**:适用于中低功率的逆变器系统中,如太阳能逆变器。IRFR210B-VB 的200V耐压和5A电流能力可以满足逆变器的需求,特别是在对功率要求不是特别高的应用中。
4. **电动工具**:在一些电动工具的驱动电路中,该MOSFET 可以作为开关元件,用于控制电流的开关。其较高的电压和电流规格使其适用于中小功率的电动工具控制。
5. **低功率照明控制**:IRFR210B-VB 适用于低功率照明控制系统中的开关应用。其较高的导通电阻使其适合处理相对较小的功率,能够有效管理和控制照明设备的开关状态。
IRFR210B-VB 的中高电压和电流处理能力、适中的导通电阻以及良好的开关性能,使其在电源管理、负载开关、逆变器、电动工具和照明控制等领域具有广泛应用。
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