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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR210ATF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR210ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

IRFR210ATF-VB 是一款高耐压 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252,专为高电压开关应用设计。它的漏源电压(VDS)最高可达 200V,栅源电压(VGS)最大为 ±20V,开启阈值电压(Vth)为 3V。该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))为 850mΩ@VGS=10V,最大漏极电流(ID)为 5A。IRFR210ATF-VB 采用 Trench 技术,具有较高的电压耐受能力和可靠的开关性能,适用于各种需要高电压和中等电流的应用场景。

### 详细参数说明

- **封装**: TO252
- **极性**: 单一 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 200V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 850mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 5A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: Trench

### 应用领域与模块示例

1. **高压电源管理**: IRFR210ATF-VB 的高漏源电压和稳定的开关特性使其适用于高压电源管理系统。它可以用于高电压 DC-DC 转换器中,帮助转换高电压输入到低电压输出,同时维持高效能和可靠性。

2. **开关电源**: 在需要高电压和中等电流的开关电源应用中,如适配器和工业电源,IRFR210ATF-VB 的特性使其能够在高电压条件下稳定运行,提供高效的电源切换和管理。

3. **功率转换模块**: 该 MOSFET 可用于功率转换模块中,如逆变器和高压功率模块。其较高的耐压能力使其能够处理较大的电压波动,确保模块在高压环境下稳定运行。

4. **电机控制**: 在需要高电压驱动的电机控制应用中,IRFR210ATF-VB 能够提供稳定的开关性能和可靠性,例如在电动工具或高压电机驱动系统中使用。

IRFR210ATF-VB 适合用于高压电源管理、开关电源、功率转换模块和电机控制等领域,能够提供高耐压和高效能的开关解决方案,满足各种高电压应用的需求。

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