产品简介
IRFR1N60ATRPBF-VB 是一款单N沟道MOSFET，封装为TO252，专为高电压应用设计。其漏源电压（VDS）高达650V，栅源电压（VGS）范围为±30V，适用于高电压环境。该MOSFET 的开启电压（Vth）为3.5V，采用Plannar技术。在VGS=10V时，其导通电阻（RDS(ON)）为4300mΩ，在VGS=4.5V时为3440mΩ。虽然其导通电阻较高，但其高电压承受能力使其适用于特定的高电压应用。
详细参数说明
封装类型：TO252
配置：单N沟道
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±30V
开启电压（Vth）：3.5V
导通电阻（RDS(ON)）：
3440mΩ @ VGS=4.5V
4300mΩ @ VGS=10V
最大漏极电流（ID）：2A
技术：Plannar
功耗：30W
最大工作温度：175°C
应用领域与模块
高压电源开关：IRFR1N60ATRPBF-VB 非常适合用于高压电源开关应用，如高压DC-DC转换器。其650V的漏源电压能力能够承受高电压环境中的电源开关操作，即使导通电阻较高，但在高电压应用中仍能提供可靠的性能。
电力电子设备：在需要高电压绝缘和控制的电力电子设备中，如逆变器和变频器，该MOSFET 的高VDS和高VGS容忍度使其能够处理高电压和高电流应用中的开关需求，保证系统稳定运行。
高压保护电路：IRFR1N60ATRPBF-VB 也可以用于高压保护电路中，例如过电压保护和过流保护。其高电压承受能力使其能够有效地防护电路免受高压或过电流的损害。
工业高压控制：在工业控制系统中，例如高压电机控制和电力传输系统，IRFR1N60ATRPBF-VB 提供了可靠的高电压开关功能，确保在高电压操作环境中的稳定性和安全性。
这些应用显示了IRFR1N60ATRPBF-VB 在高电压应用中的重要性和多功能性，特别是在需要高电压绝缘和高耐压能力的场景中表现出色。
