--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 30A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、IRFR13N20DCPBF-VB 产品简介
IRFR13N20DCPBF-VB 是一款高性能的 N-沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,基于先进的 Trench 技术。该 MOSFET 具有 200V 的最大漏极-源极电压(VDS)和 30A 的最大漏极电流(ID)。其低导通电阻 (RDS(ON)) 提供高效的开关性能,适用于中到高功率的电子应用。IRFR13N20DCPBF-VB 设计用于需要较高电压和电流处理能力的场合,如电源管理和功率转换系统。
### 二、IRFR13N20DCPBF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **极性**:N-沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:200V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:55mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:30A
- **技术**:Trench(沟槽技术)
- **功耗**:85W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**:典型值 135nC
- **输入电容 (Ciss)**:1000pF
- **反向恢复电荷 (Qrr)**:典型值 90nC
- **典型开关频率**:高于100kHz
### 三、应用领域与模块
IRFR13N20DCPBF-VB 的高电压和中等电流处理能力使其在多个领域和模块中表现出色,特别适用于以下应用:
1. **电源管理**
在电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器和电源稳压模块,IRFR13N20DCPBF-VB 提供了高效的开关性能。其低导通电阻有助于减少功耗和提高系统效率,特别适合中到高功率的电源转换应用。
2. **功率转换**
对于需要高电压处理能力的功率转换系统,如逆变器和变换器,IRFR13N20DCPBF-VB 是一个理想选择。其稳定的开关特性和较高的电流处理能力使其能够有效地管理功率转换过程中的电流和电压。
3. **电机驱动**
在电机驱动应用中,如电动机控制器和步进电机驱动器,IRFR13N20DCPBF-VB 可以处理较高电压的电机负载。其低导通电阻和高电流能力确保了电机驱动的高效性和可靠性,减少了电机控制中的热量和能量损失。
4. **工业控制**
IRFR13N20DCPBF-VB 适用于各种工业控制系统中的开关应用,例如电源模块和工业自动化设备。其高电压处理能力和高效开关性能使其在这些高要求的工业环境中能够稳定运行。
5. **UPS 和备用电源**
在不间断电源 (UPS) 和备用电源系统中,IRFR13N20DCPBF-VB 能够有效地管理电源的转换和稳压。其高电压和电流处理能力使其成为这些系统中的关键组件,保证系统在电源中断时仍能提供稳定的电力。
这些应用场景展示了 IRFR13N20DCPBF-VB 在高电压和中等功率需求的情况下的广泛适用性,其高效的开关性能和低导通电阻使其在电源管理、电机驱动和工业控制等领域中表现优异。
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