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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR13N15DTR-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR13N15DTR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 74mΩ@VGS=10V
  • ID 25.4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR13N15DTR-VB 产品简介

IRFR13N15DTR-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。该 MOSFET 专为处理中等电压和电流负载设计,具有 150V 的漏源极电压 (VDS) 和高达 25.4A 的漏极电流 (ID)。IRFR13N15DTR-VB 使用 Trench 技术,提供了较低的导通电阻,在 10V 栅源极电压下导通电阻 (RDS(ON)) 为 74mΩ。其开启电压 (Vth) 为 2.5V,确保在较低栅极电压下可靠开启,适用于各种开关和控制应用。

### 二、IRFR13N15DTR-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252  
- **配置**: 单 N 沟道 (Single-N-Channel)  
- **漏源极电压 (VDS)**: 150V  
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V  
- **开启电压 (Vth)**: 2.5V  
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 74mΩ @ VGS=10V  
- **漏极电流 (ID)**: 25.4A  
- **技术类型**: Trench 技术  
- **功率耗散**: 由于低导通电阻,该 MOSFET 在实际应用中能有效减少功率损耗。

### 三、IRFR13N15DTR-VB 应用领域和模块示例

1. **电机控制**
  IRFR13N15DTR-VB 适用于电机驱动应用,特别是中等电压的电动工具和工业电机控制系统。其高漏极电流处理能力和低导通电阻确保了电机控制的高效和响应速度,适合用于需要稳定电流和快速开关的电机驱动电路。

2. **DC-DC 转换器**
  在 DC-DC 转换器中,IRFR13N15DTR-VB 可以作为开关元件,处理高达 150V 的输入电压和高达 25.4A 的电流。其低导通电阻有助于提高转换器的效率,适合于电源管理系统和高效电源模块。

3. **电池管理系统 (BMS)**
  IRFR13N15DTR-VB 也适用于电池管理系统,特别是那些需要高电压保护和开关的系统。其能够处理 150V 的电压并承受较大的电流,非常适合用于电动车、电动自行车等需要有效电池管理的应用。

4. **开关电源**
  在开关电源模块中,IRFR13N15DTR-VB 提供了稳定的开关性能。其较低的导通电阻和较高的电流处理能力使其成为电源适配器、充电器和其他开关电源应用中的理想选择。

5. **照明驱动**
  该 MOSFET 也适合用于高电压的 LED 照明驱动电路。其高电流能力和低功耗特性,适合用于需要高效电源开关的 LED 照明模块和其他照明控制系统。

IRFR13N15DTR-VB 的高电流处理能力、低导通电阻和可靠的开关性能,使其在多种应用中表现出色,能够为不同的电力控制和开关需求提供稳定和高效的解决方案。

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