**产品简介**
IRFR130A-VB 是一款单N沟道MOSFET，封装为TO252。它设计用于中高压应用，具有高达100V的漏源电压（VDS）和15A的最大漏极电流（ID）。该MOSFET 采用Trench技术，栅源电压（VGS）范围为±20V，开启电压（Vth）为1.8V。在VGS=10V时，其导通电阻（RDS(ON)）为114mΩ。IRFR130A-VB 提供了良好的开关性能和低导通损耗，适合用于各种中等电流和电压的电子应用中。
**详细参数说明**
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：15A
- **技术**：Trench
- **功耗**：50W
- **最大工作温度**：175°C
**应用领域与模块**
1. **电源管理**：IRFR130A-VB 适用于电源管理模块，如DC-DC转换器和电源开关。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够高效地进行电源转换和电流调节，提高电源系统的整体效率。
2. **汽车电子**：在汽车电子设备中，如电机驱动和电池管理系统，IRFR130A-VB 的中等电流和高耐压特性使其成为可靠的电源开关元件，帮助管理电动车辆的电力需求和保护电池系统。
3. **工业控制**：该MOSFET 适用于工业控制系统中的开关电路，例如电机控制和负载开关。其良好的开关特性和耐高压能力有助于在严苛的工业环境中保持稳定性和可靠性。
4. **消费电子**：IRFR130A-VB 也可以用于消费电子产品中的功率开关，例如充电器和小型家用电器。其高效的功率管理和低导通电阻能够提高设备的性能和能源效率。
这些应用展示了IRFR130A-VB 在高压和中等电流场景下的多功能性，能够满足各种电子和电力管理需求。
