### 产品简介
IRFR122-VB 是一款高耐压 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它的漏源电压（VDS）可达 200V，适合中高电压应用。该 MOSFET 设计用于处理高电流，漏极电流（ID）可达 5A。IRFR122-VB 使用 Trench 技术，具有相对较高的导通电阻（RDS(ON) 为 850mΩ@VGS=10V），但在其工作电压和电流范围内仍能提供可靠的性能。开启电压（Vth）为 3V，使其在中等栅极电压下可以有效开启，适合需要高耐压和高电流处理能力的应用。
### 详细参数说明
1. **器件类型**：N 沟道 MOSFET
2. **封装类型**：TO252
3. **漏源电压 (VDS)**：200V
4. **栅源电压 (VGS)**：±20V
5. **开启电压 (Vth)**：3V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 850mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**：5A
8. **技术类型**：Trench
9. **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
### 适用领域和模块示例
IRFR122-VB 的特性使其适用于多个领域和应用：
1. **电源管理和转换**：在电源管理系统中，如 DC-DC 转换器和开关电源（SMPS），IRFR122-VB 能够处理高电压和中等电流的开关需求。尽管其导通电阻相对较高，但它的高耐压特性使其在需要处理 200V 以上电压的应用中非常有用。
2. **工业控制**：在工业自动化和控制系统中，IRFR122-VB 可用于高电压的开关和电源控制。它能够在较高电压下可靠地操作，适合用于工业设备的电源管理和保护电路。
3. **电动汽车与充电系统**：在电动汽车的电池管理系统和充电模块中，该 MOSFET 可以用于高电压的电流开关和保护。其高耐压特性帮助确保电池管理和充电过程中的安全性和可靠性。
4. **家电和消费电子产品**：在家电和一些消费电子产品中，IRFR122-VB 可以用于电源开关和控制电路。尽管导通电阻较高，但其高耐压特性使其适合用于高电压应用的开关和保护功能。
这些应用场景中，IRFR122-VB 能够提供稳定的性能和高耐压能力，满足不同领域的电气需求。
