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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR120ZTRLPBF-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: IRFR120ZTRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、IRFR120ZTRLPBF-VB 产品简介

IRFR120ZTRLPBF-VB 是一款N沟道MOSFET,采用了先进的Trench技术,封装在TO252外壳中。这款器件具有100V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),开启电压为1.8V,适用于广泛的中等电压应用。其导通电阻(RDS(ON))为114mΩ@VGS=10V,最大漏极电流(ID)为15A。这些参数使其非常适合电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用,能够提供高效的能量转换和稳定的操作性能。

### 二、IRFR120ZTRLPBF-VB 详细参数说明

- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **最大功耗 (Ptot)**: 50W
- **工作温度范围**: -55°C 至 175°C
- **开关时间**: 快速开关特性,适合中等频率的应用
- **技术**: Trench技术
- **输入电容 (Ciss)**: 800pF
- **输出电容 (Coss)**: 150pF

### 三、应用领域和模块示例

IRFR120ZTRLPBF-VB 的特性使其非常适合用于以下应用领域和模块:

1. **电源管理**:在电源管理应用中,如DC-DC转换器和开关电源,这款MOSFET凭借其100V的漏源电压和15A的电流能力,能够处理大部分负载开关和能量传输需求。其低导通电阻确保了高效的能量转换,减少了功耗损失。

2. **负载开关**:适合用于负载开关电路,能够在系统中有效地管理电流的通断。其较低的开启电压(1.8V)意味着在低电压信号控制下也能迅速开启和关闭,为系统提供了灵活性。

3. **电动工具控制**:IRFR120ZTRLPBF-VB 在电动工具的驱动电路中表现出色。其100V的耐压可以满足电动工具的高压要求,同时其快速开关能力能够提升工具的响应速度和控制精度。

4. **照明控制**:适合用于高效LED驱动和照明控制系统中。MOSFET 的低导通电阻和稳定性能,确保了LED系统的高效能量利用,延长了照明设备的使用寿命。

5. **工业自动化**:在工业自动化领域,该器件能够用于电机控制、电源开关以及系统的保护电路。其坚固的设计和高耐压特性适应了严苛的工业环境,为设备提供稳定可靠的运行保障。

IRFR120ZTRLPBF-VB 因其低导通电阻、高耐压和良好的开关特性,广泛应用于电源管理、照明、工业自动化和负载控制等领域。

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