**产品简介**
IRFR120TF-VB 是一款单N沟道MOSFET，封装为TO252，具有高达100V的漏源电压（VDS）和15A的漏极电流（ID），适用于中高压和中等电流的应用。其栅源电压（VGS）范围为±20V，开启电压（Vth）为1.8V。该MOSFET采用Trench技术，在VGS=10V时的导通电阻（RDS(ON)）为114mΩ，表现出低导通损耗，适用于高效率的开关和功率管理应用。它的设计使其在需要高频率开关和稳定性高的场合表现出色。
**详细参数说明**
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：15A
- **技术**：Trench
- **功耗**：50W
- **最大工作温度**：175°C
**应用领域与模块**
1. **汽车电子**：IRFR120TF-VB 可以用于汽车电子中的电源管理模块和电机控制系统，特别是在车载DC-DC转换器中。其高耐压性和中等电流能力适合为汽车电子系统提供可靠的电源控制。
2. **工业电源**：在工业电源设备中，尤其是高频开关电源和电机驱动系统中，IRFR120TF-VB 的低导通电阻和高耐压性有助于提高功率转换效率，减少发热量，延长设备的使用寿命。
3. **太阳能逆变器**：该MOSFET 还适用于太阳能逆变器等可再生能源设备中，能够高效地处理从直流到交流的转换，同时减少转换过程中的功率损耗，从而提高整体系统的效率。
4. **消费电子**：在消费电子产品中，例如电池管理和小型便携设备的电源控制系统，IRFR120TF-VB 也能通过其高开关速度和低导通电阻，提高系统效率，延长电池续航时间。
通过这些应用，IRFR120TF-VB 显示了其在广泛的电子领域中，特别是在高频率和中高压电源控制和转换中的重要作用。
